Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMJ70H1D3SI3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4260528DMJ70H1D3SI3 attēlsDiodes Incorporated

DMJ70H1D3SI3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.25
75+
$0.998
150+
$0.873
525+
$0.677
1050+
$0.535
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMJ70H1D3SI3
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 700V 4.6A TO251
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMJ70H1D3SI3.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-251
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.3 Ohm @ 2.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    41W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Citi vārdi
    DMJ70H1D3SI3-ND
    DMJ70H1D3SI3DI
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    7 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    351pF @ 50V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    13.9nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    700V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 700V 4.6A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    4.6A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMJ70H1D3SI3” saistītie produkti.
DMJ2833-000

DMJ2833-000

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 0.1A 0.075W 3-PIN

Ražotāji: Skyworks Solutions, Inc.
Noliktavā
RFQ
DMJ70H600SH3

DMJ70H600SH3

Apraksts: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMJ70H601SV3

DMJ70H601SV3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMJ70H1D3SH3

DMJ70H1D3SH3

Apraksts: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMJ70H900HJ3

DMJ70H900HJ3

Apraksts: MOSFET BVDSS: 651V 800V TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
IRF7490PBF

IRF7490PBF

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRL8113STRLPBF

IRL8113STRLPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
DMJ70H1D0SV3

DMJ70H1D0SV3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRLH6224TR2PBF

IRLH6224TR2PBF

Apraksts: MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
DMJT9435-13

DMJT9435-13

Apraksts: TRANS PNP 30V 3A SOT-223

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
FQB5N20LTM

FQB5N20LTM

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
DMJ70H1D5SV3

DMJ70H1D5SV3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
SPD18P06PGBTMA1

SPD18P06PGBTMA1

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
DMJ70H1D3SJ3

DMJ70H1D3SJ3

Apraksts: MOSFET N-CH TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMJ70H601SK3-13

DMJ70H601SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 700V 8A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMJ70H1D4SV3

DMJ70H1D4SV3

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMJ7N70SK3-13

DMJ7N70SK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 700V 3.9A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
IXTT30N50P

IXTT30N50P

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.