Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMG4N60SK3-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1867134DMG4N60SK3-13 attēlsDiodes Incorporated

DMG4N60SK3-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.384
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMG4N60SK3-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMG4N60SK3-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-252
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3 Ohm @ 2A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    48W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    DMG4N60SK3-13DITR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    30 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    532pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    14.3nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 3.7A (Tc) 48W (Ta) Surface Mount TO-252
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    3.7A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMG4N60SK3-13” saistītie produkti.
DMG4822SSD-13

DMG4822SSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4N60SCT

DMG4N60SCT

Apraksts: MOSFET NCH 600V 4.5A TO220

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4712SSS-13

DMG4712SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11.2A 8SOIC

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSDQ-13

Apraksts: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4812SSS-13

DMG4812SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4800LFG-7

DMG4800LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG564010R

DMG564010R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
DMG563020R

DMG563020R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
DMG563H10R

DMG563H10R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
DMG564030R

DMG564030R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
DMG4800LSD-13

DMG4800LSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4N65CT

DMG4N65CT

Apraksts: MOSFET N CH 650V 4A TO220-3

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4N60SJ3

DMG4N60SJ3

Apraksts: MOSFET NCH 600V 3A TO251

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG504010R

DMG504010R

Apraksts: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
DMG4932LSD-13

DMG4932LSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG563H50R

DMG563H50R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
DMG563010R

DMG563010R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
DMG4800LK3-13

DMG4800LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 10A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG4N65CTI

DMG4N65CTI

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 4A ITO-220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMG563H40R

DMG563H40R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.