DMG4N60SJ3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

75+

$0.692

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

DMG4N60SJ3
Ražotājs / zīmols

Diodes Incorporated
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET NCH 600V 3A TO251
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Satur svinu / RoHS atbilstību
Datu lapas

DMG4N60SJ3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

TO-251
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 2A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

41W (Tc)
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

30 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Contains lead / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

532pF @ 25V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

14.3nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

600V
Detalizēts apraksts

N-Channel 600V 3A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

Šis ir ar “DMG4N60SJ3” saistītie produkti.

DMG4812SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

DMG4710SSS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12.7A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

DMG4800LFG-7

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

DMG4N60SK3-13

Apraksts: MOSFET BVDSS: 501V 650V TO252 T&

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

DMG563H50R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Ražotāji: Panasonic

Noliktavā

RFQ

DMG504010R

Apraksts: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A SMINI6

Ražotāji: Panasonic

Noliktavā

RFQ

DMG4822SSDQ-13

Apraksts: MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

DMG4822SSD-13

Apraksts: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

DMG563020R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Ražotāji: Panasonic

Noliktavā

RFQ

DMG563H10R

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI5

Ražotāji: Panasonic

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

DMG4N60SJ3

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

DMG4812SSS-13

DMG4710SSS-13

DMG4800LFG-7

DMG4N60SK3-13

DMG563H50R

DMG504010R

DMG4822SSDQ-13

DMG4822SSD-13

DMG563020R

DMG563H10R

DMG4N60SCT

DMG4712SSS-13

DMG564010R

DMG4932LSD-13

DMG4800LSD-13

DMG4800LK3-13

DMG4N65CT

DMG563010R

DMG4N65CTI

DMG563H40R

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda