Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SVD5865NLT4G

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

3072825

SVD5865NLT4G attēls

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SVD5865NLT4G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

2500+

$0.341

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SVD5865NLT4G
Ražotājs / zīmols

AMI Semiconductor/onsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SVD5865NLT4G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

DPAK
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 mOhm @ 19A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

3.1W (Ta), 71W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Citi vārdi

NVD5865NLT4G-ND
NVD5865NLT4GOSTR
SVD5865NLT4G
SVD5865NLT4GOSTR
SVD5865NLT4GOSTR-ND
Darbības temperatūra

-55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

18 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

1400pF @ 25V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

29nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

60V
Detalizēts apraksts

N-Channel 60V 10A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 71W (Tc) Surface Mount DPAK
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 46A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SVD5865NLT4G” saistītie produkti.

IRF3709

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 90A TO-220AB

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

NTD4865NT4G

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

IXFX120N25

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247

Ražotāji: IXYS Corporation

Noliktavā

SI7356ADP-T1-GE3

SI7356ADP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SVD5867NLT4G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 18A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

IRFR3418TRLPBF

IRFR3418TRLPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 70A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

IPB90R340C3ATMA1

IPB90R340C3ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 15A TO-263

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

STT4P3LLH6

STT4P3LLH6

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6

Ražotāji: STMicroelectronics

Noliktavā

AOB11S65L

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 11A TO263

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Noliktavā

DMN53D0U-7

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 0.3A SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

SVD2955T4G

Apraksts: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

SI4134DY-T1-GE3

SI4134DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

IPP50R299CPHKSA1

IPP50R299CPHKSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 550V TO220-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

SVD14N03RT4G

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 14A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

SVD5803NT4G

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

IPP60R280P7XKSA1

IPP60R280P7XKSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

TK8Q65W,S1Q

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7.8A IPAK

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

NTB45N06LG

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

SIHD6N80E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CHAN 800V TO-252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

NP109N04PUK-E1-AY

NP109N04PUK-E1-AY

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 110A TO-263

Ražotāji: Renesas Electronics America

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.