NVC3S5A51PLZT1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.255

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

NVC3S5A51PLZT1G
Ražotājs / zīmols

AMI Semiconductor/onsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

NVC3S5A51PLZT1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

3-CPH
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 1A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

1.2W (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Citi vārdi

NVC3S5A51PLZT1G-ND
NVC3S5A51PLZT1GOSTR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

12 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

262pF @ 20V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

6nC @ 10V
FET tips

P-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

60V
Detalizēts apraksts

P-Channel 60V 1.8A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount 3-CPH
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

1.8A (Ta)

Šis ir ar “NVC3S5A51PLZT1G” saistītie produkti.

IPP90R800C3XKSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 6.9A TO-220

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

IXKK85N60C

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 85A TO-264

Ražotāji: IXYS Corporation

Noliktavā

RFQ

TP5322N8-G

Apraksts: MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3

Ražotāji: Micrel / Microchip Technology

Noliktavā

RFQ

AON6404A_001

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 25A DFN5X6

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

Noliktavā

RFQ

DMTH10H015LPS-13

Apraksts: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

IPD180N10N3GBTMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

BUK6212-40C,118

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 50A DPAK

Ražotāji: Nexperia

Noliktavā

RFQ

BUK7535-55A,127

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 35A TO220AB

Ražotāji: Nexperia

Noliktavā

RFQ

BSP295L6327HTSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.8A SOT-223

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

NTP5411NG

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

NVC6S5A354PLZT1G

Apraksts: MOSFET P-CHANNEL 60V 4A 6-CPH

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

IXFC30N60P

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation

Noliktavā

RFQ

IRF3709ZSTRR

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

SI7882DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

STI23NM60N

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK

Ražotāji: STMicroelectronics

Noliktavā

RFQ

IRL3715ZL

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 50A TO-262

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

BUK9E2R3-40E,127

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale

Noliktavā

RFQ

IPF09N03LA G

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 50A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

TPCA8045-H(T2L1,VM

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 46A 8-SOP ADV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

AUIRF7478Q

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

NVC3S5A51PLZT1G

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

IPP90R800C3XKSA1

IXKK85N60C

TP5322N8-G

AON6404A_001

DMTH10H015LPS-13

IPD180N10N3GBTMA1

BUK6212-40C,118

BUK7535-55A,127

BSP295L6327HTSA1

NTP5411NG

NVC6S5A354PLZT1G

IXFC30N60P

IRF3709ZSTRR

SI7882DP-T1-E3

STI23NM60N

IRL3715ZL

BUK9E2R3-40E,127

IPF09N03LA G

TPCA8045-H(T2L1,VM

AUIRF7478Q

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda