Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > DMTH10H015LPS-13
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6639385DMTH10H015LPS-13 attēlsDiodes Incorporated

DMTH10H015LPS-13

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$0.435
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DMTH10H015LPS-13
  • Ražotājs / zīmols
    Diodes Incorporated
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Satur svinu / RoHS atbilstību
  • Datu lapas
    DMTH10H015LPS-13.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PowerDI5060-8
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    16 mOhm @ 20A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.3W (Ta), 46W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-PowerTDFN
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    20 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1871pF @ 50V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    33.3nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    100V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 100V 7.3A (Ta), 44A (Tc) 1.3W (Ta), 46W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    7.3A (Ta), 44A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DMTH10H015LPS-13” saistītie produkti.
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

Apraksts: MOSFET NCH 100V TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4004LK3Q-13

DMTH4004LK3Q-13

Apraksts: MOSFET NCH 40V 100A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH3004LPS-13

DMTH3004LPS-13

Apraksts: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Apraksts: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Apraksts: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH3004LK3Q-13

DMTH3004LK3Q-13

Apraksts: MOSFET NCH 30V 21A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4004LK3-13

DMTH4004LK3-13

Apraksts: MOSFET NCH 40V 100A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH3004LPSQ-13

DMTH3004LPSQ-13

Apraksts: MOSFET NCH 30V 22A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH3004LK3-13

DMTH3004LK3-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 21A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH3002LPS-13

DMTH3002LPS-13

Apraksts: MOSFET NCH 30V 100A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Apraksts: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Apraksts: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH4004LPS-13

DMTH4004LPS-13

Apraksts: MOSFET NCH 40V 26A POWERDI

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMT8012LSS-13

DMT8012LSS-13

Apraksts: MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Apraksts: MOSFET 100V 108A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.