Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > NGTD20T120F2SWK
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1542022

NGTD20T120F2SWK

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
124+
$2.725
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    NGTD20T120F2SWK
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    NGTD20T120F2SWK.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    1200V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2.4V @ 15V, 20A
  • Testa stāvoklis
    -
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    -
  • Pārslēgšanas enerģija
    -
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    Die
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    Die
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ražotāja standarta svina laiks
    4 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    Trench Field Stop
  • Detalizēts apraksts
    IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    100A

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “NGTD20T120F2SWK” saistītie produkti.
NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD21T65F2WP

NGTD21T65F2WP

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD20T120F2WP

NGTD20T120F2WP

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD17T65F2SWK

NGTD17T65F2SWK

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD15R65F2WP

NGTD15R65F2WP

Apraksts: DIODE GEN PURP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD15R65F2SWK

NGTD15R65F2SWK

Apraksts: DIODE GEN PURP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD14T65F2WP

NGTD14T65F2WP

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD30T120F2SWK

NGTD30T120F2SWK

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD28T65F2WP

NGTD28T65F2WP

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD14T65F2SWK

NGTD14T65F2SWK

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD17T65F2WP

NGTD17T65F2WP

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD5R65F2SWK

NGTD5R65F2SWK

Apraksts: DIODE GEN PURP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD21T65F2SWK

NGTD21T65F2SWK

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD23T120F2SWK

NGTD23T120F2SWK

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD13T65F2SWK

NGTD13T65F2SWK

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD23T120F2WP

NGTD23T120F2WP

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD17R120F2WP

NGTD17R120F2WP

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD28T65F2SWK

NGTD28T65F2SWK

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.