Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - IGBTs - vieni > NGTD14T65F2WP
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1088353

NGTD14T65F2WP

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
190+
$1.944
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    NGTD14T65F2WP
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    NGTD14T65F2WP.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    650V
  • Vce (par) (maksimālais) @ Vge, Ic
    2V @ 15V, 35A
  • Testa stāvoklis
    -
  • Td (ieslēgts / izslēgts) @ 25 ° C
    -
  • Pārslēgšanas enerģija
    -
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    Die
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    Die
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ražotāja standarta svina laiks
    4 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades veids
    Standard
  • IGBT tips
    Trench Field Stop
  • Detalizēts apraksts
    IGBT Trench Field Stop 650V Surface Mount Die
  • Pašreizējais - impulsu savācējs (Icm)
    120A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “NGTD14T65F2WP” saistītie produkti.
NGTD13T65F2SWK

NGTD13T65F2SWK

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD13R120F2WP

NGTD13R120F2WP

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD20T120F2WP

NGTD20T120F2WP

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTB75N60SWG

NGTB75N60SWG

Apraksts: IGBT 75A 600V TO-247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD17T65F2SWK

NGTD17T65F2SWK

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTB75N65FL2WG

NGTB75N65FL2WG

Apraksts: IGBT 600V 75A TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD13R120F2SWK

NGTD13R120F2SWK

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD17R120F2SWK

NGTD17R120F2SWK

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD21T65F2WP

NGTD21T65F2WP

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD13T65F2WP

NGTD13T65F2WP

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTB75N65FL2WAG

NGTB75N65FL2WAG

Apraksts: IGBT FIELD STOP 650V TO247-4

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD15R65F2WP

NGTD15R65F2WP

Apraksts: DIODE GEN PURP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTB75N60FL2WG

NGTB75N60FL2WG

Apraksts: IGBT 600V 75A TO247

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD17R120F2WP

NGTD17R120F2WP

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD14T65F2SWK

NGTD14T65F2SWK

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD20T120F2SWK

NGTD20T120F2SWK

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD17T65F2WP

NGTD17T65F2WP

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD15R65F2SWK

NGTD15R65F2SWK

Apraksts: DIODE GEN PURP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTB60N65FL2WG

NGTB60N65FL2WG

Apraksts: 650V/60A IGBT FSII

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
NGTD21T65F2SWK

NGTD21T65F2SWK

Apraksts: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.