Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FQE10N20LCTU
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1878550FQE10N20LCTU attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQE10N20LCTU

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FQE10N20LCTU
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FQE10N20LCTU.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-126
  • Sērija
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 2A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    12.8W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-225AA, TO-126-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    490pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    19nC @ 5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FQE10N20LCTU” saistītie produkti.
TSM080N03EPQ56 RLG

TSM080N03EPQ56 RLG

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
FDP7030L

FDP7030L

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRFM220BTF_FP001

IRFM220BTF_FP001

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 1.13A SOT-223

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRL3202PBF

IRL3202PBF

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 48A TO-220AB

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRFB7537PBF

IRFB7537PBF

Apraksts: MOSFET N CH 60V 173A TO-220AB

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
NTR4502PT1G

NTR4502PT1G

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
ATP201-V-TL-H

ATP201-V-TL-H

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
STR1P2UH7

STR1P2UH7

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 1.4A SOT-23

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
DMT6016LFDF-7

DMT6016LFDF-7

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 8.9A 6UDFN

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
SSM3K376R,LF

SSM3K376R,LF

Apraksts: SMALL LOW RON NCH MOSFETS ID: 4A

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
IRF3805

IRF3805

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRLR3103PBF

IRLR3103PBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FQE10N20CTU

FQE10N20CTU

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
HUFA76429D3ST

HUFA76429D3ST

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 20A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
FQD18N20V2TM

FQD18N20V2TM

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 15A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
PSMN013-100YSEX

PSMN013-100YSEX

Apraksts: MOSFET N-CH 100V LFPAK

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
NTD3055-094T4G

NTD3055-094T4G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
RDX100N60FU6

RDX100N60FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRFB9N65APBF

IRFB9N65APBF

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.