Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FQE10N20CTU
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5629633FQE10N20CTU attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FQE10N20CTU

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FQE10N20CTU
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 200V 4A TO-126
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FQE10N20CTU.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-126
  • Sērija
    QFET®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    360 mOhm @ 2A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    12.8W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-225AA, TO-126-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    510pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    26nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    200V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 200V 4A (Tc) 12.8W (Tc) Through Hole TO-126
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FQE10N20CTU” saistītie produkti.
FQE10N20LCTU

FQE10N20LCTU

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SPP03N60C3HKSA1

SPP03N60C3HKSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
STD100NH02LT4

STD100NH02LT4

Apraksts: MOSFET N-CH 24V 60A DPAK

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
PMN20EN,115

PMN20EN,115

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 6TSOP

Ražotāji: NXP Semiconductors / Freescale
Noliktavā
RFQ
FDB024N06

FDB024N06

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IPB407N30NATMA1

IPB407N30NATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
AO3434A

AO3434A

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
IRF6648TRPBF

IRF6648TRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IXTC180N085T

IXTC180N085T

Apraksts: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXFH20N100P

IXFH20N100P

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
SIHB35N60E-GE3

SIHB35N60E-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IPI100N06S3L-03

IPI100N06S3L-03

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 100A TO-262

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IXTN102N65X2

IXTN102N65X2

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IPD90R1K2C3ATMA1

IPD90R1K2C3ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
STB80NE03L-06T4

STB80NE03L-06T4

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
IRFR540ZPBF

IRFR540ZPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
PMZB420UN,315

PMZB420UN,315

Apraksts: MOSFET N-CH 30V SGL 3DFN

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
SIR850DP-T1-GE3

SIR850DP-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
STP10NK70Z

STP10NK70Z

Apraksts: MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
BSC022N03SG

BSC022N03SG

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.