Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FDR844P
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4507923

FDR844P

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FDR844P
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FDR844P.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SuperSOT™-8
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11 mOhm @ 10A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.8W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SMD, Gull Wing
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    4951pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    74nC @ 4.5V
  • FET tips
    P-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    1.8V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    P-Channel 20V 10A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FDR844P” saistītie produkti.
IRFBC40S

IRFBC40S

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
FDR838P

FDR838P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR8508P

FDR8508P

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR6674A

FDR6674A

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR8308P

FDR8308P

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR8521L

FDR8521L

Apraksts: MOSFET P-CH 20V SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR8305N

FDR8305N

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR8702H

FDR8702H

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR840P

FDR840P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR858P

FDR858P

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR25S-4

FDR25S-4

Apraksts: CABLE STRANDED

Ražotāji: TE Connectivity Raychem Cable Protection
Noliktavā
RFQ
IXFE50N50

IXFE50N50

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IPA60R180P7SXKSA1

IPA60R180P7SXKSA1

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FDR25-0

FDR25-0

Apraksts: CABLE STRANDED MC

Ražotāji: Agastat Relays / TE Connectivity
Noliktavā
RFQ
FDR6580

FDR6580

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
STP95N2LH5

STP95N2LH5

Apraksts: MOSFET N-CH 25V 80A TO-220

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
FDR25S-2

FDR25S-2

Apraksts: HOOK-UP DUAL WALL STRND 2AWG BLK

Ražotāji: Agastat Relays / TE Connectivity
Noliktavā
RFQ
FDR25S-8

FDR25S-8

Apraksts: HOOK-UP DUAL WALL STRND 8AWG BLK

Ražotāji: Agastat Relays / TE Connectivity
Noliktavā
RFQ
FDR4420A

FDR4420A

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR842P

FDR842P

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.