Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - masīvi > FDR8308P
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6009815

FDR8308P

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FDR8308P
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FDR8308P.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SuperSOT™-8
  • Sērija
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50 mOhm @ 3.2A, 4.5V
  • Jauda - maks
    800mW
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-SMD, Gull Wing
  • Citi vārdi
    FDR8308P-ND
    FDR8308PTR
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1240pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    19nC @ 4.5V
  • FET tips
    2 P-Channel (Dual)
  • FET iezīme
    Logic Level Gate
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 3.2A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    3.2A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FDR8308P” saistītie produkti.
FDR842P

FDR842P

Apraksts: MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SI6983DQ-T1-E3

SI6983DQ-T1-E3

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 4.6A 8TSSOP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
FDR6674A

FDR6674A

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR25-0

FDR25-0

Apraksts: CABLE STRANDED MC

Ražotāji: Agastat Relays / TE Connectivity
Noliktavā
RFQ
FDR858P

FDR858P

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR8305N

FDR8305N

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
UPA1981TE-T1-A

UPA1981TE-T1-A

Apraksts: MOSFET

Ražotāji: Renesas Electronics America
Noliktavā
RFQ
FDR25S-2

FDR25S-2

Apraksts: HOOK-UP DUAL WALL STRND 2AWG BLK

Ražotāji: Agastat Relays / TE Connectivity
Noliktavā
RFQ
FDR25S-4

FDR25S-4

Apraksts: CABLE STRANDED

Ražotāji: TE Connectivity Raychem Cable Protection
Noliktavā
RFQ
FDR4420A

FDR4420A

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
APTC80H29T3G

APTC80H29T3G

Apraksts: MOSFET 4N-CH 800V 15A SP3

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
FDR8508P

FDR8508P

Apraksts: MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR25S-8

FDR25S-8

Apraksts: HOOK-UP DUAL WALL STRND 8AWG BLK

Ražotāji: Agastat Relays / TE Connectivity
Noliktavā
RFQ
FDR838P

FDR838P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR840P

FDR840P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR844P

FDR844P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRF7379TRPBF

IRF7379TRPBF

Apraksts: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FDR6580

FDR6580

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR8521L

FDR8521L

Apraksts: MOSFET P-CH 20V SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDR8702H

FDR8702H

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.