Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FDJ128N_F077
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2062530

FDJ128N_F077

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FDJ128N_F077
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FDJ128N_F077.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SC75-6 FLMP
  • Sērija
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 5.5A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.6W (Ta)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    SC75-6 FLMP
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    543pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    8nC @ 5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    2.5V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    5.5A (Ta)

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FDJ128N_F077” saistītie produkti.
FDJ1028N

FDJ1028N

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRF3710L

IRF3710L

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 57A TO-262

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRFR3711Z

IRFR3711Z

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 93A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRF840LCSTRL

IRF840LCSTRL

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SQM60030E_GE3

SQM60030E_GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SI7138DP-T1-E3

SI7138DP-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
IPP80N06S2L11AKSA2

IPP80N06S2L11AKSA2

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRF7769L2TRPBF

IRF7769L2TRPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
BSC079N10NSGATMA1

BSC079N10NSGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FDJ1032C

FDJ1032C

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXFR180N06

IXFR180N06

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
FDJ1027P

FDJ1027P

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDJ129P_F077

FDJ129P_F077

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDJ127P

FDJ127P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FQD7P20TM

FQD7P20TM

Apraksts: MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDB075N15A

FDB075N15A

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 130A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
CSD18511Q5AT

CSD18511Q5AT

Apraksts: 40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF

Ražotāji: Luminary Micro / Texas Instruments
Noliktavā
RFQ
FDJ129P

FDJ129P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDJ128N

FDJ128N

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
APT40N60JCU2

APT40N60JCU2

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.