Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FDJ128N
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4665918FDJ128N attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDJ128N

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FDJ128N
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FDJ128N.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SC75-6 FLMP
  • Sērija
    PowerTrench®
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    35 mOhm @ 5.5A, 4.5V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    1.6W (Ta)
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    SC75-6 FLMP
  • Citi vārdi
    FDJ128N_NLCT
    FDJ128N_NLCT-ND
    FDJ128NCT
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    543pF @ 10V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    8nC @ 5V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    2.5V, 4.5V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    20V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 20V 5.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SC75-6 FLMP
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    5.5A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FDJ128N” saistītie produkti.
IXTP54N30T

IXTP54N30T

Apraksts: MOSFET N-CH 300V 54A TO-220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IRFR1205TRR

IRFR1205TRR

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 44A DPAK

Ražotāji: Infineon Technologies
Noliktavā
RFQ
FDJ1028N

FDJ1028N

Apraksts: MOSFET 2N-CH 20V 3.2A SC-75

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDJ1032C

FDJ1032C

Apraksts: MOSFET N/P-CH 20V 3.2A/2.8A SC75

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDJ127P

FDJ127P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.1A SC75-6

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BSC120N03LSGATMA1

BSC120N03LSGATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 39A TDSON-8

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FDJ1027P

FDJ1027P

Apraksts: MOSFET 2P-CH 20V 2.8A SC-75

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDD86367-F085

FDD86367-F085

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
TSM160P04LCRHRLG

TSM160P04LCRHRLG

Apraksts: MOSFET P-CH 40V 51A 8PDFN

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
IPU60R2K1CEAKMA1

IPU60R2K1CEAKMA1

Apraksts: CONSUMER

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRFSL4127PBF

IRFSL4127PBF

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 72A TO-262

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FDJ129P

FDJ129P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BSP372NH6327XTSA1

BSP372NH6327XTSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FDJ129P_F077

FDJ129P_F077

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDJ128N_F077

FDJ128N_F077

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 5.5A SC75-6

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IRLBA1304P

IRLBA1304P

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 185A SUPER-220

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
STW45N60DM2AG

STW45N60DM2AG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 34A

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
WPB4001-1E

WPB4001-1E

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXTQ36N20T

IXTQ36N20T

Apraksts: MOSFET N-CH 200V TO-3P

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
GP1M005A050FSH

GP1M005A050FSH

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 4A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.