FDA28N50F

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

$4.96

10+

$4.43

450+

$3.278

900+

$2.658

1350+

$2.481

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

FDA28N50F
Ražotājs / zīmols

AMI Semiconductor/onsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

FDA28N50F.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

TO-3PN
Sērija

UniFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

175 mOhm @ 14A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

310W (Tc)
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-3P-3, SC-65-3
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Through Hole
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

6 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

5387pF @ 25V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

105nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

500V
Detalizēts apraksts

N-Channel 500V 28A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-3PN
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

28A (Tc)

Šis ir ar “FDA28N50F” saistītie produkti.

FDA450LV

Apraksts: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Ražotāji: STMicroelectronics

Noliktavā

RFQ

FDA33N25

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

FDA24N40F

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

FDA217

Apraksts: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division

Noliktavā

RFQ

FDA24N50

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

FDA28N50

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

FDA450LV-T

Apraksts: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Ražotāji: STMicroelectronics

Noliktavā

RFQ

FDA217STR

Apraksts: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division

Noliktavā

RFQ

FDA4100LV

Apraksts: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Ražotāji: STMicroelectronics

Noliktavā

RFQ

FDA24N50F

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

FDA59N30

Apraksts: MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

FDA59N25

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 59A TO-3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

FDA217S

Apraksts: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division

Noliktavā

RFQ

FDA215S

Apraksts: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division

Noliktavā

RFQ

FDA38N30

Apraksts: MOSFET N-CH 300V TO-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

FDA4100LV-T

Apraksts: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Ražotāji: STMicroelectronics

Noliktavā

RFQ

FDA620005

Apraksts: OSCILLATOR XO 106.25MHZ CMOS SMD

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

FDA2712

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

FDA215STR

Apraksts: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division

Noliktavā

RFQ

FDA50N50

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 48A TO-3P

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

FDA28N50F

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

FDA450LV

FDA33N25

FDA24N40F

FDA217

FDA24N50

FDA28N50

FDA450LV-T

FDA217STR

FDA4100LV

FDA24N50F

FDA59N30

FDA59N25

FDA217S

FDA215S

FDA38N30

FDA4100LV-T

FDA620005

FDA2712

FDA215STR

FDA50N50

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda