Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FDA24N50
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4358519FDA24N50 attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDA24N50

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$4.15
10+
$3.701
450+
$2.739
900+
$2.221
1350+
$2.073
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FDA24N50
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FDA24N50.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-3PN
  • Sērija
    UniFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190 mOhm @ 12A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    270W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    17 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    4150pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    85nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    500V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 500V 24A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-3PN
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    24A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FDA24N50” saistītie produkti.
FDA4100LV

FDA4100LV

Apraksts: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
FDA217STR

FDA217STR

Apraksts: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division
Noliktavā
RFQ
FDA215STR

FDA215STR

Apraksts: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division
Noliktavā
RFQ
FDA2100BLV-T

FDA2100BLV-T

Apraksts: IC AMP PWM DGTL 64TQFP

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
FDA4100LV-T

FDA4100LV-T

Apraksts: IC AMP QUAD BRIDGE D HIQUAD-92

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
FDA24N40F

FDA24N40F

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 23A TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDA450LV-T

FDA450LV-T

Apraksts: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
FDA2100LV

FDA2100LV

Apraksts: IC AMP DUAL BRIDGE D 64TQFP

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
FDA28N50

FDA28N50

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDA215

FDA215

Apraksts: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division
Noliktavā
RFQ
FDA24N50F

FDA24N50F

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 24A TO-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDA450LV

FDA450LV

Apraksts: IC AMP QUAD BRIDGE D 100TQFP

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
FDA33N25

FDA33N25

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDA2100LV-T

FDA2100LV-T

Apraksts: IC AMP DUAL BRIDGE D 64TQFP

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
FDA2712

FDA2712

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 64A TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDA28N50F

FDA28N50F

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 28A TO-3PN

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDA217S

FDA217S

Apraksts: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division
Noliktavā
RFQ
FDA38N30

FDA38N30

Apraksts: MOSFET N-CH 300V TO-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDA217

FDA217

Apraksts: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8DIP

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division
Noliktavā
RFQ
FDA215S

FDA215S

Apraksts: OPTOISO 3.75KV 2CH GATE DVR 8SMD

Ražotāji: IXYS Integrated Circuits Division
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.