Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FCU900N60Z
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1039700FCU900N60Z attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU900N60Z

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.49
10+
$1.319
100+
$1.043
500+
$0.808
1000+
$0.638
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FCU900N60Z
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FCU900N60Z.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    3.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    I-PAK
  • Sērija
    SuperFET® II
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    900 mOhm @ 2.3A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    52W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    710pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    17nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    4.5A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FCU900N60Z” saistītie produkti.
NTD4809NA-1G

NTD4809NA-1G

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 9A IPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCU2250N80Z

FCU2250N80Z

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXFK44N50Q

IXFK44N50Q

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 44A TO-264AA

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
SSM3J120TU,LF

SSM3J120TU,LF

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4A UFM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Apraksts: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Ražotāji: Murata Electronics
Noliktavā
RFQ
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IPB100N04S2L03ATMA2

IPB100N04S2L03ATMA2

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FCU-7

FCU-7

Apraksts: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
IRC634PBF

IRC634PBF

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO-220-5

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Apraksts: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BSC0906NSATMA1

BSC0906NSATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18A 8TDSON

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IXTA200N085T

IXTA200N085T

Apraksts: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IXTC130N15T

IXTC130N15T

Apraksts: MOSFET N-CH 150V ISOPLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Apraksts: MOSFET N-CH 600V IPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCU-2

FCU-2

Apraksts: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.