Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FCU2250N80Z
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3514704FCU2250N80Z attēlsAMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU2250N80Z

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$1.73
10+
$1.533
100+
$1.212
500+
$0.94
1000+
$0.742
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FCU2250N80Z
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FCU2250N80Z.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 260µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    I-PAK
  • Sērija
    SuperFET® II
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    39W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    585pF @ 100V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    800V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 800V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FCU2250N80Z” saistītie produkti.
IXTY4N65X2

IXTY4N65X2

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
IRFZ30PBF

IRFZ30PBF

Apraksts: MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Apraksts: MOSFET N-CH 600V IPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
GA05JT12-247

GA05JT12-247

Apraksts: TRANS SJT 1200V 5A

Ražotāji: GeneSiC Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCU4300N80Z

FCU4300N80Z

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCU-2

FCU-2

Apraksts: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

FCUL0530-R47M=P3

Apraksts: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Ražotāji: Murata Electronics
Noliktavā
RFQ
FCU850N80Z

FCU850N80Z

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCU-7

FCU-7

Apraksts: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
FCU600N65S3R0

FCU600N65S3R0

Apraksts: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCU900N60Z

FCU900N60Z

Apraksts: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
IXTC200N10T

IXTC200N10T

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

Ražotāji: IXYS Corporation
Noliktavā
RFQ
SPA15N65C3XKSA1

SPA15N65C3XKSA1

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FCU3400N80Z

FCU3400N80Z

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FCU5N60TU

FCU5N60TU

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
DMN90H8D5HCTI

DMN90H8D5HCTI

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
IRFBC40STRL

IRFBC40STRL

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
FQB2NA90TM

FQB2NA90TM

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.