Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > FCI11N60
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2250315

FCI11N60

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    FCI11N60
  • Ražotājs / zīmols
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    FCI11N60.pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    I2PAK (TO-262)
  • Sērija
    SuperFET™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380 mOhm @ 5.5A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    125W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1490pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    52nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    11A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “FCI11N60” saistītie produkti.
FCI7N60

FCI7N60

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
FDS5682

FDS5682

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
MIC94051YM4-TR

MIC94051YM4-TR

Apraksts: MOSFET P-CH 6V 1.8A 8MSOP

Ražotāji: Micrel / Microchip Technology
Noliktavā
RFQ
CSD18510Q5B

CSD18510Q5B

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 300A 8VSON

Ražotāji: Luminary Micro / Texas Instruments
Noliktavā
RFQ
FCI25N60N

FCI25N60N

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
STH12N120K5-2

STH12N120K5-2

Apraksts: MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
AOTF5N100

AOTF5N100

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 4A TO220F

Ražotāji: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Noliktavā
RFQ
IRLU024ZPBF

IRLU024ZPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
PHK5NQ15T,518

PHK5NQ15T,518

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 5A SOT96-1

Ražotāji: Nexperia
Noliktavā
RFQ
STP8N90K5

STP8N90K5

Apraksts: N-CHANNEL 900 V, 0.60 OHM TYP.,

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
STP7LN80K5

STP7LN80K5

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 5A TO-220

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
STU1HN60K3

STU1HN60K3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
RDN050N20FU6

RDN050N20FU6

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

Ražotāji: LAPIS Semiconductor
Noliktavā
RFQ
TSM1NB60SCT A3

TSM1NB60SCT A3

Apraksts: MOSFET N-CH 600V TO92

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
DMP3056LDM-7

DMP3056LDM-7

Apraksts: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT-26

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
FDZ299P

FDZ299P

Apraksts: MOSFET P-CH 20V 4.6A BGA

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
AUIRFS3004

AUIRFS3004

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 340A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
FCI25N60N-F102

FCI25N60N-F102

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
SIPC07N50C3X1SA1

SIPC07N50C3X1SA1

Apraksts: TRANSISTOR N-CH

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
IRFR5410PBF

IRFR5410PBF

Apraksts: MOSFET P-CH 100V 13A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.