2V7002KT1G

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

$0.29

10+

$0.265

100+

$0.148

500+

$0.08

1000+

$0.054

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

2V7002KT1G
Ražotājs / zīmols

AMI Semiconductor/onsemi
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 60V 320MA SOT-23-3
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

2V7002KT1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

SOT-23
Sērija

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6 Ohm @ 500mA, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

300mW (Tj)
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Citi vārdi

2V7002KT1GOSCT
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

46 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

24.5pF @ 20V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

60V
Detalizēts apraksts

N-Channel 60V 320mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

320mA (Ta)

Šis ir ar “2V7002KT1G” saistītie produkti.

FDN5630

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 1.7A SSOT3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

2V7002WT1G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

2V7002LT3G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V .115A

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

BS870Q-7-F

Apraksts: MOSFET 41V 60V SOT23

Ražotāji: Diodes Incorporated

Noliktavā

RFQ

APTML100U60R020T1AG

Apraksts: MOSFET N-CH 1000V 20A SP1

Ražotāji: Microsemi

Noliktavā

RFQ

FDMS2572

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 4.5A POWER56

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

IRLR3802PBF

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 84A DPAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

SI4866BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

STP10N60M2

Apraksts: MOSFET N-CH 600V TO-220

Ražotāji: STMicroelectronics

Noliktavā

RFQ

IRLU024ZPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

IPP80N06S2L-07

Apraksts: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

TSM4N90CI C0G

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 900V 4A ITO220

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)

Noliktavā

RFQ

NVD6495NLT4G-VF01

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

IRL3713STRLPBF

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

2V7002LT1G

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23-3

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

IXFT20N60Q

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO-268

Ražotāji: IXYS Corporation

Noliktavā

RFQ

IXFK88N20Q

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 88A TO-264

Ražotāji: IXYS Corporation

Noliktavā

RFQ

NTHL110N65S3F

Apraksts: SUPERFET3 650V TO247 PKG

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Noliktavā

RFQ

IPC100N04S5L2R6ATMA1

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

IRFS4321TRL7PP

Apraksts: MOSFET N-CH 150V 86A D2PAK

Ražotāji: International Rectifier (Infineon Technologies)

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

2V7002KT1G

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

FDN5630

2V7002WT1G

2V7002LT3G

BS870Q-7-F

APTML100U60R020T1AG

FDMS2572

IRLR3802PBF

SI4866BDY-T1-E3

STP10N60M2

IRLU024ZPBF

IPP80N06S2L-07

TSM4N90CI C0G

NVD6495NLT4G-VF01

IRL3713STRLPBF

2V7002LT1G

IXFT20N60Q

IXFK88N20Q

NTHL110N65S3F

IPC100N04S5L2R6ATMA1

IRFS4321TRL7PP

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda