Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > SI4866BDY-T1-E3

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

2199039

SI4866BDY-T1-E3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

2500+

$0.578

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

SI4866BDY-T1-E3
Ražotājs / zīmols

Electro-Films (EFI) / Vishay
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

SI4866BDY-T1-E3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SO
Sērija

TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.3 mOhm @ 12A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Citi vārdi

SI4866BDY-T1-E3-ND
SI4866BDY-T1-E3TR
Darbības temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

5020pF @ 6V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

80nC @ 4.5V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

1.8V, 4.5V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

12V
Detalizēts apraksts

N-Channel 12V 21.5A (Tc) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc) Surface Mount 8-SO
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

21.5A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “SI4866BDY-T1-E3” saistītie produkti.

SI4858DY-T1-E3

SI4858DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4880DY-T1-GE3

SI4880DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4866DY-T1-E3

SI4866DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4858DY-T1-GE3

SI4858DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4850EY-T1-E3

SI4850EY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4860DY-T1-E3

SI4860DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4860DY-T1-GE3

SI4860DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4862DY-T1-GE3

SI4862DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4866DY-T1-GE3

SI4866DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 11A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4874BDY-T1-E3

SI4874BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4864DY-T1-E3

SI4864DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4874BDY-T1-GE3

SI4874BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4864DY-T1-GE3

SI4864DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4866BDY-T1-GE3

SI4866BDY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4876DY-T1-E3

SI4876DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4880DY-T1-E3

SI4880DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4862DY-T1-E3

SI4862DY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 16V 17A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4850EY-T1-GE3

SI4850EY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4876DY-T1-GE3

SI4876DY-T1-GE3

Apraksts: MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

SI4884BDY-T1-E3

SI4884BDY-T1-E3

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.