Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Line karte > SemiQ
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu

SemiQ

SemiQ

Ievads

SemiQ - Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), kas dibināta 2007. gadā, ir integrēta izstrādes un ražošanas uzņēmums, kas nodarbojas ar produktiem, kuru pamatā ir silīcija karbīda (SiC) tehnoloģijas. Turpmākajos gados šie produkti būs pamattehnoloģijas spēka elektronikas un enerģētikas nozarēs, kurās ir nepieciešamas progresīvas tehnoloģijas zemas cenas, augstas efektivitātes elektroenerģijas ražošanai, konversijai un pārraidei.

Saistītās ziņas

Kategorija
7
Produkti
373

Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi

GHXS015A120S-D3

GHXS015A120S-D3

Apraksts: DIODE SCHOT SBD 1200V 15A SOT227

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP2M023A050N

GP2M023A050N

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP1M006A065FH

GP1M006A065FH

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GSXD080A010S1-D3

GSXD080A010S1-D3

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 100V 80A SOT227

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GSXD120A012S1-D3

GSXD120A012S1-D3

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 120V 120A SOT227

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GSID150A120S3B1

GSID150A120S3B1

Apraksts: SILICON IGBT MODULES

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GSXD160A010S1-D3

GSXD160A010S1-D3

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT227

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GSXD060A020S1-D3

GSXD060A020S1-D3

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 200V 60A SOT227

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP1M018A020PG

GP1M018A020PG

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 18A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GSXD160A020S1-D3

GSXD160A020S1-D3

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 200V 160A SOT227

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GHXS030A120S-D1E

GHXS030A120S-D1E

Apraksts: MOD SBD BRIDGE 1200V 30A SOT227

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GSXD050A004S1-D3

GSXD050A004S1-D3

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 45V 50A SOT227

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GHIS025A120T1P2

GHIS025A120T1P2

Apraksts: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP2M008A060CG

GP2M008A060CG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GHXS030A060S-D1E

GHXS030A060S-D1E

Apraksts: MOD SBD BRIDGE 600V 30A SOT227

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GHIS080A120S-A1

GHIS080A120S-A1

Apraksts: IGBT BOOST CHP 1200V 160A SOT227

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP1M009A020FG

GP1M009A020FG

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 9A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP1M009A090N

GP1M009A090N

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 9.5A TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP2M012A060H

GP2M012A060H

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP1M005A050CH

GP1M005A050CH

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP1M010A060FH

GP1M010A060FH

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP2M004A065HG

GP2M004A065HG

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 4A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP1M006A070F

GP1M006A070F

Apraksts: MOSFET N-CH 700V 5A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP2D003A060C

GP2D003A060C

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 600V 3A DPAK-2

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP1M005A040CG

GP1M005A040CG

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 3.4A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GSXD100A012S1-D3

GSXD100A012S1-D3

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 120V 100A SOT227

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GHXS010A060S-D1E

GHXS010A060S-D1E

Apraksts: MOD SBD BRIDGE 600V 10A SOT227

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP2M013A050F

GP2M013A050F

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP2M002A065CG

GP2M002A065CG

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GPA040A120L-FD

GPA040A120L-FD

Apraksts: IGBT 1200V 80A 480W TO264

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP2M008A060FGH

GP2M008A060FGH

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP2D036A060B

GP2D036A060B

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 600V 82A TO247-2

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP2M002A060FG

GP2M002A060FG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GHIS100A120T2C1

GHIS100A120T2C1

Apraksts: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GSID600A120S4B1

GSID600A120S4B1

Apraksts: SILICON IGBT MODULES

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GCMS010A120S7B1

GCMS010A120S7B1

Apraksts: SIC MOSFET/SBD HALF BRIDGE MODUL

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GCMS080A120B1H1

GCMS080A120B1H1

Apraksts: SIC MOSFET FULL BRIDGE MODULE B1

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP2D012A065C

GP2D012A065C

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 650V 29A TO252-2

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GPI040A060MN-FD

GPI040A060MN-FD

Apraksts: IGBT 600V 80A 231W TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP1M003A040CG

GP1M003A040CG

Apraksts: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP1M020A060M

GP1M020A060M

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO3P

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GDP06S060D

GDP06S060D

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GHXS045A120S-D1

GHXS045A120S-D1

Apraksts: MOD SBD BRIDGE 1200V 45A SOT227

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GCMS080A120S1-E1

GCMS080A120S1-E1

Apraksts: SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GSXD060A015S1-D3

GSXD060A015S1-D3

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP2M004A060CG

GP2M004A060CG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GP1M006A065F

GP1M006A065F

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
GHIS200A120S3B1

GHIS200A120S3B1

Apraksts: SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
Kopējā lapa : 8
12345678

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu