Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > GP2M012A060H
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5585120GP2M012A060H attēlsGlobal Power Technologies Group

GP2M012A060H

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    GP2M012A060H
  • Ražotājs / zīmols
    SemiQ
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 12A TO220
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    GP2M012A060H.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220
  • Sērija
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    650 mOhm @ 6A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    231W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    1890pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    40nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 12A (Tc) 231W (Tc) Through Hole TO-220
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    12A (Tc)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “GP2M012A060H” saistītie produkti.
GP2M012A080NG

GP2M012A080NG

Apraksts: MOSFET N-CH 800V 12A TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2S24ABJ00F

GP2S24ABJ00F

Apraksts: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM PCB

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP2M008A060PGH

GP2M008A060PGH

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M010A060F

GP2M010A060F

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 10A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M010A060H

GP2M010A060H

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 10A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M013A050F

GP2M013A050F

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 13A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M009A090NG

GP2M009A090NG

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M023A050N

GP2M023A050N

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 23A TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2S24

GP2S24

Apraksts: PHOTOINTERRUPTER REFLEC .8MM DIP

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP2M008A060PG

GP2M008A060PG

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M011A090NG

GP2M011A090NG

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M020A050H

GP2M020A050H

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 18A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M012A060F

GP2M012A060F

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 12A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M010A065H

GP2M010A065H

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2S24BCJ00F

GP2S24BCJ00F

Apraksts: PHOTOINTERRUPTER TRANS OUT 4X3

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GP2M020A050N

GP2M020A050N

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 20A TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M009A090FG

GP2M009A090FG

Apraksts: MOSFET N-CH 900V 9A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M020A060N

GP2M020A060N

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PN

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M010A065F

GP2M010A065F

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 9.5A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
GP2M020A050F

GP2M020A050F

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 18A TO220F

Ražotāji: Global Power Technologies Group
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.