Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Integrētās shēmas (IC) > Atmiņa > W947D2HBJX6E TR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3965764W947D2HBJX6E TR attēlsWinbond Electronics Corporation

W947D2HBJX6E TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2500+
$2.656
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    W947D2HBJX6E TR
  • Ražotājs / zīmols
    Winbond Electronics Corporation
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    W947D2HBJX6E TR.pdf
  • Uzrakstiet cikla laiku - vārdu, lapu
    15ns
  • Spriegums - piegāde
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Tehnoloģija
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    90-VFBGA (8x13)
  • Sērija
    -
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    90-TFBGA
  • Citi vārdi
    W947D2HBJX6E TR-ND
    W947D2HBJX6ETR
  • Darbības temperatūra
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Atmiņas veids
    Volatile
  • Atmiņas izmērs
    128Mb (4M x 32)
  • Atmiņas interfeiss
    Parallel
  • Atmiņas formāts
    DRAM
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Pulksteņa biežums
    166MHz
  • Piekļuves laiks
    5ns

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “W947D2HBJX6E TR” saistītie produkti.
W948D2FBJX5E TR

W948D2FBJX5E TR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W947D6HBHX6E

W947D6HBHX6E

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W9464G6KH-5 TR

W9464G6KH-5 TR

Apraksts: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W9464G6KH-5I TR

W9464G6KH-5I TR

Apraksts: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W948D2FBJX5I

W948D2FBJX5I

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W9464G6KH-5

W9464G6KH-5

Apraksts: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W947D2HBJX5I TR

W947D2HBJX5I TR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W947D2HBJX5E TR

W947D2HBJX5E TR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W947D6HBHX5E TR

W947D6HBHX5E TR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W948D2FBJX5I TR

W948D2FBJX5I TR

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W947D2HBJX5I

W947D2HBJX5I

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W947D2HBJX6E

W947D2HBJX6E

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W947D6HBHX6E TR

W947D6HBHX6E TR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W9464G6KH-5I

W9464G6KH-5I

Apraksts: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W948D2FBJX5E

W948D2FBJX5E

Apraksts: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W947D6HBHX5I

W947D6HBHX5I

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W947D6HBHX5I TR

W947D6HBHX5I TR

Apraksts: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
W9464G6KH-4 TR

W9464G6KH-4 TR

Apraksts: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Ražotāji: Winbond Electronics Corporation
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.