Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BYW29E-200,127
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
814940BYW29E-200,127 attēlsWeEn Semiconductors Co., Ltd

BYW29E-200,127

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.97
10+
$0.854
100+
$0.655
500+
$0.518
1000+
$0.414
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BYW29E-200,127
  • Ražotājs / zīmols
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    BYW29E-200,127.pdf
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.05V @ 8A
  • Spriegums - DC reversais (Vr) (maksimālais)
    200V
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220AC
  • Ātrums
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Sērija
    -
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    25ns
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-2
  • Citi vārdi
    1740-1180
    568-1669-5
    568-1669-5-ND
    934011660127
    BYW29E-200
    BYW29E200127
  • Darba temperatūra - savienojums
    150°C (Max)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode tips
    Standard
  • Detalizēts apraksts
    Diode Standard 200V 8A Through Hole TO-220AC
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    10µA @ 200V
  • Pašreizējais - vidējais labojums (Io)
    8A
  • Ietilpība @ Vr, F
    -
  • Bāzes daļas numurs
    BYW29-200

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BYW29E-200,127” saistītie produkti.
BYW29-150-E3/45

BYW29-150-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYW29-200

BYW29-200

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
BYW29-50-E3/45

BYW29-50-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYW29-200HE3/45

BYW29-200HE3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYW32-TAP

BYW32-TAP

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYW29E-100,127

BYW29E-100,127

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Ražotāji: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Noliktavā
RFQ
BYW29-50HE3/45

BYW29-50HE3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYW29-200-E3/45

BYW29-200-E3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYW29E-150,127

BYW29E-150,127

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC

Ražotāji: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Noliktavā
RFQ
BYW34-TAP

BYW34-TAP

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYW29-200G

BYW29-200G

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
RFQ
BYW35-TAP

BYW35-TAP

Apraksts: DIODE AVALANCHE 500V 2A SOD57

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYW32-TR

BYW32-TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYW33-TR

BYW33-TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 300V 2A SOD57

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYW29-150HE3/45

BYW29-150HE3/45

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYW29G-200-TR

BYW29G-200-TR

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK

Ražotāji: STMicroelectronics
Noliktavā
RFQ
BYW29EX-200,127

BYW29EX-200,127

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220F

Ražotāji: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Noliktavā
RFQ
BYW33-TAP

BYW33-TAP

Apraksts: DIODE AVALANCHE 300V 2A SOD57

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYW34-TR

BYW34-TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYW29ED-200,118

BYW29ED-200,118

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK

Ražotāji: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.