Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > VS-8EWF12STRRPBF
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5118661VS-8EWF12STRRPBF attēlsVishay Semiconductor Diodes Division

VS-8EWF12STRRPBF

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    VS-8EWF12STRRPBF
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE FAST RECOVERY 8A DPAK
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    VS-8EWF12STRRPBF.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    8A
  • Spriegums - sadalījums
    D-PAK (TO-252AA)
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Tape & Reel (TR)
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    VS8EWF12STRRPBF
  • Darba temperatūra - savienojums
    270ns
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja daļas numurs
    VS-8EWF12STRRPBF
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 1200V (1.2kV) 8A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
  • Diode konfigurācija
    100µA @ 1200V
  • Apraksts
    DIODE FAST RECOVERY 8A DPAK
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.3V @ 8A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    1200V (1.2kV)
  • Ietilpība @ Vr, F
    -40°C ~ 150°C

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

2024/11/25

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “VS-8EWF12STRRPBF” saistītie produkti.
VS-8EWF12STRPBF

VS-8EWF12STRPBF

Apraksts: DIODE FAST RECOVERY 8A DPAK

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-8EWH02FNTRL-M3

VS-8EWH02FNTRL-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWF10STRLPBF

VS-8EWF10STRLPBF

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWF12STRLPBF

VS-8EWF12STRLPBF

Apraksts: DIODE FAST RECOVERY 8A DPAK

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-8EWH06FNHM3

VS-8EWH06FNHM3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWF12STRL-M3

VS-8EWF12STRL-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWH06FN-M3

VS-8EWH06FN-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWF12STR-M3

VS-8EWF12STR-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWH06FNTRLHM3

VS-8EWH06FNTRLHM3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWH06FNTRL-M3

VS-8EWH06FNTRL-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWF12S-M3

VS-8EWF12S-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWF10STRR-M3

VS-8EWF10STRR-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 8A D-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWF12SLHM3

VS-8EWF12SLHM3

Apraksts: DIODES - D-PAK-E3

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWH06FNTRHM3

VS-8EWH06FNTRHM3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWF12STRR-M3

VS-8EWF12STRR-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWH02FN-M3

VS-8EWH02FN-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A TO252

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWH02FNTRR-M3

VS-8EWH02FNTRR-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWH02FNTR-M3

VS-8EWH02FNTR-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 8A D-PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-8EWF12SPBF

VS-8EWF12SPBF

Apraksts: DIODE FAST RECOVERY 8A DPAK

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-8EWH06FNTR-M3

VS-8EWH06FNTR-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 8A DPAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.