Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > VS-20ETF10-M3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
491077VS-20ETF10-M3 attēlsVishay Semiconductor Diodes Division

VS-20ETF10-M3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1000+
$3.398
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    VS-20ETF10-M3
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE INPUT 20A TO-220
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    VS-20ETF10-M3.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    20A
  • Spriegums - sadalījums
    TO-220AC
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Tube
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    TO-220-2
  • Citi vārdi
    VS20ETF10M3
  • Darba temperatūra - savienojums
    95ns
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    VS-20ETF10-M3
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 1000V (1kV) 20A Through Hole TO-220AC
  • Diode konfigurācija
    100µA @ 1000V
  • Apraksts
    DIODE INPUT 20A TO-220
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.3V @ 20A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    1000V (1kV)
  • Ietilpība @ Vr, F
    -40°C ~ 150°C

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “VS-20ETF10-M3” saistītie produkti.
VS-20ETF10STRL-M3

VS-20ETF10STRL-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF10S-M3

VS-20ETF10S-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF08STRLPBF

VS-20ETF08STRLPBF

Apraksts: DIODE INPUT 20A D2PAK

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF10PBF

VS-20ETF10PBF

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF06STRRPBF

VS-20ETF06STRRPBF

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 20A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF10STRLPBF

VS-20ETF10STRLPBF

Apraksts: DIODE INPUT 20A D2PAK

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF08-M3

VS-20ETF08-M3

Apraksts: DIODE INPUT 20A TO-220

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF12-M3

VS-20ETF12-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF08STRL-M3

VS-20ETF08STRL-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF08STRR-M3

VS-20ETF08STRR-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF10STRR-M3

VS-20ETF10STRR-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF10FP-M3

VS-20ETF10FP-M3

Apraksts: DIODE INPUT 20A TO-220FP

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF08S-M3

VS-20ETF08S-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF08STRRPBF

VS-20ETF08STRRPBF

Apraksts: DIODE INPUT 20A D2PAK

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF10STRRPBF

VS-20ETF10STRRPBF

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF06STRR-M3

VS-20ETF06STRR-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 20A TO263AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF08SPBF

VS-20ETF08SPBF

Apraksts: DIODE INPUT 20A D2PAK

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF10FPPBF

VS-20ETF10FPPBF

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 20A TO220FP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF08PBF

VS-20ETF08PBF

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 20A TO220FP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-20ETF10SPBF

VS-20ETF10SPBF

Apraksts: DIODE INPUT 20A D2PAK

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.