Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > VS-1N1187RA
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1763184VS-1N1187RA attēlsVishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N1187RA

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
100+
$6.072
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    VS-1N1187RA
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 300V 40A DO203AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    VS-1N1187RA.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    40A
  • Spriegums - sadalījums
    DO-203AB
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Bulk
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • Citi vārdi
    *1N1187RA
    1N1187RA
    1N1187RA-ND
  • Montāžas tips
    Chassis, Stud Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    10 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    VS-1N1187RA
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 300V 40A Chassis, Stud Mount DO-203AB
  • Diode konfigurācija
    2.5mA @ 300V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 300V 40A DO203AB
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.3V @ 126A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    300V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 200°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “VS-1N1187RA” saistītie produkti.
VS-1N1190

VS-1N1190

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-1N1186

VS-1N1186

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-1N1188R

VS-1N1188R

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-1N1188

VS-1N1188

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-1N1189

VS-1N1189

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 35A DO203AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-1N1189R

VS-1N1189R

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 35A DO203AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-1N1189A

VS-1N1189A

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 40A DO203AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-1N1187A

VS-1N1187A

Apraksts: DIODE GEN PURP 300V 40A DO203AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-1N1187R

VS-1N1187R

Apraksts: DIODE GEN PURP 300V 35A DO203AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-1N1186A

VS-1N1186A

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-1N1185A

VS-1N1185A

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 40A DO203AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-1N1188RA

VS-1N1188RA

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-1N1186R

VS-1N1186R

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-1N1187

VS-1N1187

Apraksts: DIODE GEN PURP 300V 35A DO203AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-1N1188A

VS-1N1188A

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 40A DO203AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-1N1189RA

VS-1N1189RA

Apraksts: DIODE GEN PURP 500V 40A DO203AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-1N1186RA

VS-1N1186RA

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 40A DO203AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-1N1185R

VS-1N1185R

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 35A DO203AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-1N1190A

VS-1N1190A

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-1N1185

VS-1N1185

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 35A DO203AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.