Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > VS-10ETF04PBF
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
503920VS-10ETF04PBF attēlsVishay Semiconductor Diodes Division

VS-10ETF04PBF

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1000+
$1.244
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    VS-10ETF04PBF
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE RECT 400V 10A TO-220
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    VS-10ETF04PBF.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    10A
  • Spriegums - sadalījums
    TO-220AC
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Tube
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    TO-220-2
  • Citi vārdi
    VS10ETF04PBF
  • Darba temperatūra - savienojums
    200ns
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    8 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    VS-10ETF04PBF
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 400V 10A Through Hole TO-220AC
  • Diode konfigurācija
    100µA @ 200V
  • Apraksts
    DIODE RECT 400V 10A TO-220
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.2V @ 10A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    400V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -40°C ~ 150°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “VS-10ETF04PBF” saistītie produkti.
VS-10ETF04STRR-M3

VS-10ETF04STRR-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF06FPPBF

VS-10ETF06FPPBF

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF04S-M3

VS-10ETF04S-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF06-M3

VS-10ETF06-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF02STRL-M3

VS-10ETF02STRL-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF06FP-M3

VS-10ETF06FP-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220FP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF04STRLPBF

VS-10ETF04STRLPBF

Apraksts: DIODE RECT 400V 10A D2PAK

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF02STRR-M3

VS-10ETF02STRR-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF02STRRPBF

VS-10ETF02STRRPBF

Apraksts: DIODE RECT 200V 10A D2PAK

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF04SPBF

VS-10ETF04SPBF

Apraksts: DIODE RECT 400V 10A D2PAK

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF02S-M3

VS-10ETF02S-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 10A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF04STRRPBF

VS-10ETF04STRRPBF

Apraksts: DIODE RECT 400V 10A D2PAK

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF04FP-M3

VS-10ETF04FP-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220FP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF02STRLPBF

VS-10ETF02STRLPBF

Apraksts: DIODE RECT 200V 10A D2PAK

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF04STRL-M3

VS-10ETF04STRL-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 10A D2PAK

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF02SPBF

VS-10ETF02SPBF

Apraksts: DIODE RECT 200V 10A D2PAK

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF04-M3

VS-10ETF04-M3

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF04FPPBF

VS-10ETF04FPPBF

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220FP

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF06PBF

VS-10ETF06PBF

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
VS-10ETF02PBF

VS-10ETF02PBF

Apraksts: DIODE RECT 200V 10A TO-220AC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.