Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > SBYV26C-M3/73
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5006990SBYV26C-M3/73 attēlsVishay Semiconductor Diodes Division

SBYV26C-M3/73

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
15000+
$0.108
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    SBYV26C-M3/73
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE RECT GPP 1A 600V DO-204AL
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    SBYV26C-M3/73.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1A
  • Spriegums - sadalījums
    DO-204AL (DO-41)
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
  • RoHS statuss
    Tape & Box (TB)
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    45pF @ 4V, 1MHz
  • Polarizācija
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Darba temperatūra - savienojums
    30ns
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja daļas numurs
    SBYV26C-M3/73
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 600V 1A Through Hole DO-204AL (DO-41)
  • Diode konfigurācija
    5µA @ 600V
  • Apraksts
    DIODE RECT GPP 1A 600V DO-204AL
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    2.5V @ 1A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    600V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “SBYV26C-M3/73” saistītie produkti.
SBYV26CHM3/54

SBYV26CHM3/54

Apraksts: DIODE RECT GPP 1A 600V DO-204AL

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
SBYV27-50-E3/54

SBYV27-50-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 2A DO204AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV27-100-E3/54

SBYV27-100-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV26CHE3/54

SBYV26CHE3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV26CHE3/73

SBYV26CHE3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV26C-E3/73

SBYV26C-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV28-150-E3/73

SBYV28-150-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3.5A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV27-100-E3/73

SBYV27-100-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV28-150-E3/54

SBYV28-150-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 3.5A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV27-150-E3/73

SBYV27-150-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV26C-E3/54

SBYV26C-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AL

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV26C-M3/54

SBYV26C-M3/54

Apraksts: DIODE RECT GPP 1A 600V DO-204AL

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
SBYV26C-5001M3/73

SBYV26C-5001M3/73

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE DO-204AL

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV27-200-E3/54

SBYV27-200-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV28-100-E3/54

SBYV28-100-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3.5A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV27-150-E3/54

SBYV27-150-E3/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 150V 2A DO204AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV27-50-E3/73

SBYV27-50-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 50V 2A DO204AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV26CHM3/73

SBYV26CHM3/73

Apraksts: DIODE RECT GPP 1A 600V DO-204AL

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
SBYV28-100-E3/73

SBYV28-100-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 100V 3.5A DO201AD

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
SBYV27-200-E3/73

SBYV27-200-E3/73

Apraksts: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.