Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > RS2J-M3/5BT
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5828913RS2J-M3/5BT attēlsVishay Semiconductor Diodes Division

RS2J-M3/5BT

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
12800+
$0.098
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RS2J-M3/5BT
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE SW 1.5A 600V 250NS DO214AA
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RS2J-M3/5BT.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.5A
  • Spriegums - sadalījums
    DO-214AA (SMB)
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Tape & Reel (TR)
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    17pF @ 4V, 1MHz
  • Polarizācija
    DO-214AA, SMB
  • Darba temperatūra - savienojums
    250ns
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    27 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    RS2J-M3/5BT
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 600V 1.5A Surface Mount DO-214AA (SMB)
  • Diode konfigurācija
    5µA @ 600V
  • Apraksts
    DIODE SW 1.5A 600V 250NS DO214AA
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.3V @ 1.5A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    600V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RS2J-M3/5BT” saistītie produkti.
RS2JAHR3G

RS2JAHR3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS2JAHM2G

RS2JAHM2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS2JA M2G

RS2JA M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS2JHE3_A/I

RS2JHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS2J R5G

RS2J R5G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS2JHE3_A/H

RS2JHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS2GHE3_A/H

RS2GHE3_A/H

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS2GHE3_A/I

RS2GHE3_A/I

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS2JA-13-F

RS2JA-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS2JHE3/52T

RS2JHE3/52T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS2J M4G

RS2J M4G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS2J-13-F

RS2J-13-F

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS2JA R3G

RS2JA R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
RS2J-E3/5BT

RS2J-E3/5BT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS2JA-13

RS2JA-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A SMA

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
RS2J-M3/52T

RS2J-M3/52T

Apraksts: DIODE SW 1.5A 600V 250NS DO214AA

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
RS2JHE3/5BT

RS2JHE3/5BT

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS2GHE3/5BT

RS2GHE3/5BT

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS2J-E3/52T

RS2J-E3/52T

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AA

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
RS2J-13

RS2J-13

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A SMB

Ražotāji: Diodes Incorporated
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.