Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > GL41T-E3/96
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
1667786GL41T-E3/96 attēlsVishay Semiconductor Diodes Division

GL41T-E3/96

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
6000+
$0.098
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    GL41T-E3/96
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.GL41T-E3/96.pdf
    2.GL41T-E3/96.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Standard
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1A
  • Spriegums - sadalījums
    DO-213AB
  • Sērija
    SUPERECTIFIER®
  • RoHS statuss
    Tape & Reel (TR)
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    8pF @ 4V, 1MHz
  • Polarizācija
    DO-213AB, MELF (Glass)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    21 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    GL41T-E3/96
  • Paplašināts apraksts
    Diode Standard 1300V (1.3kV) 1A Surface Mount DO-213AB
  • Diode konfigurācija
    10µA @ 1300V
  • Apraksts
    DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.2V @ 1A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    1300V (1.3kV)
  • Ietilpība @ Vr, F
    -65°C ~ 175°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “GL41T-E3/96” saistītie produkti.
GL453E00000F

GL453E00000F

Apraksts: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GL41K-E3/96

GL41K-E3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
GL41KHE3/97

GL41KHE3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41T-E3/1

GL41T-E3/1

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL480

GL480

Apraksts: EMITTER IR 950NM 50MA RADIAL

Ražotāji: Sharp Microelectronics
Noliktavā
RFQ
GL41MHE3/97

GL41MHE3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41T-E3/97

GL41T-E3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41Y-E3/96

GL41Y-E3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41K-E3/97

GL41K-E3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41Y/1

GL41Y/1

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
GL41YHE3/97

GL41YHE3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41Y-E3/97

GL41Y-E3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41THE3/97

GL41THE3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41M-E3/97

GL41M-E3/97

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41MHE3/96

GL41MHE3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41YHE3/96

GL41YHE3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41M-E3/96

GL41M-E3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41M/54

GL41M/54

Apraksts: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41KHE3/96

GL41KHE3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
GL41THE3/96

GL41THE3/96

Apraksts: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO213AB

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.