BYG24JHE3/TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

7200+

$0.17

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

BYG24JHE3/TR
Ražotājs / zīmols

Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

1.BYG24JHE3/TR.pdf
2.BYG24JHE3/TR.pdf
Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)

Avalanche
Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja

1.5A
Spriegums - sadalījums

DO-214AC (SMA)
Sērija

-
RoHS statuss

Tape & Reel (TR)
Reverss atkopšanas laiks (trr)

Fast Recovery = 200mA (Io)
Pretestība @ Ja F,

-
Polarizācija

DO-214AC, SMA
Darba temperatūra - savienojums

140ns
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

14 Weeks
Ražotāja daļas numurs

BYG24JHE3/TR
Paplašināts apraksts

Diode Avalanche 600V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Diode konfigurācija

1µA @ 600V
Apraksts

DIODE AVALANCHE 600V 1.5A
Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr

1.25V @ 1.5A
Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)

600V
Ietilpība @ Vr, F

-55°C ~ 150°C

Šis ir ar “BYG24JHE3/TR” saistītie produkti.

BYG24GHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG24JHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG24JHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG24GHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG24G-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG24GHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG24JHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG24JHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG24JHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG24GHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG24JHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG24J-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG24J-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG24GHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG24JHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG24GHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG24GHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

BYG24J-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG24J-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

BYG24GHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

BYG24JHE3/TR

Pieprasīt citātu

atsauces cena (ASV dolāros)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

BYG24GHE3_A/H

BYG24JHM3_A/I

BYG24JHM3/TR

BYG24GHE3_A/I

BYG24G-M3/TR3

BYG24GHE3/TR3

BYG24JHM3_A/H

BYG24JHM3/TR3

BYG24JHE3_A/I

BYG24GHM3/TR3

BYG24JHE3_A/H

BYG24J-E3/TR3

BYG24J-E3/TR

BYG24GHE3/TR

BYG24JHE3/TR3

BYG24GHM3_A/I

BYG24GHM3/TR

BYG24J-M3/TR

BYG24J-M3/TR3

BYG24GHM3_A/H

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda