Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BYG20GHM3/TR
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5022970BYG20GHM3/TR attēlsVishay Semiconductor Diodes Division

BYG20GHM3/TR

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
14400+
$0.128
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BYG20GHM3/TR
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    BYG20GHM3/TR.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Avalanche
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.5A
  • Spriegums - sadalījums
    DO-214AC (SMA)
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • RoHS statuss
    Tape & Reel (TR)
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    DO-214AC, SMA
  • Darba temperatūra - savienojums
    75ns
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    14 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    BYG20GHM3/TR
  • Paplašināts apraksts
    Diode Avalanche 400V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Diode konfigurācija
    1µA @ 400V
  • Apraksts
    DIODE AVALANCHE 400V 1.5A
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.4V @ 1.5A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    400V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BYG20GHM3/TR” saistītie produkti.
BYG20GHE3_A/I

BYG20GHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG20G R3G

BYG20G R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BYG20J-M3/TR3

BYG20J-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG20GHM3/TR3

BYG20GHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG20GHE3_A/H

BYG20GHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG20GHM3_A/I

BYG20GHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG20J-M3/TR

BYG20J-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG20J R3G

BYG20J R3G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BYG20GHE3/TR

BYG20GHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG20G M2G

BYG20G M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BYG20J-E3/TR3

BYG20J-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG20GHM3_A/H

BYG20GHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG20J/54

BYG20J/54

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG20G-M3/TR

BYG20G-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG20J-E3/TR

BYG20J-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG20G-E3/TR3

BYG20G-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG20G-E3/TR

BYG20G-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG20G-M3/TR3

BYG20G-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG20J M2G

BYG20J M2G

Apraksts: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Ražotāji: TSC (Taiwan Semiconductor)
Noliktavā
RFQ
BYG20GHE3/TR3

BYG20GHE3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 400V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.