Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Diodes - taisngrieži - vieni > BYG10KHE3/TR3
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5242684BYG10KHE3/TR3 attēlsVishay Semiconductor Diodes Division

BYG10KHE3/TR3

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
7500+
$0.132
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    BYG10KHE3/TR3
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.BYG10KHE3/TR3.pdf
    2.BYG10KHE3/TR3.pdf
  • Spriegums - maksimālais reverss (maksimālais)
    Avalanche
  • Spriegums - uz priekšu (Vf) (maksimālais lielums) @ ja
    1.5A
  • Spriegums - sadalījums
    DO-214AC (SMA)
  • Sērija
    -
  • RoHS statuss
    Tape & Reel (TR)
  • Reverss atkopšanas laiks (trr)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Pretestība @ Ja F,
    -
  • Polarizācija
    DO-214AC, SMA
  • Darba temperatūra - savienojums
    4µs
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    14 Weeks
  • Ražotāja daļas numurs
    BYG10KHE3/TR3
  • Paplašināts apraksts
    Diode Avalanche 800V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Diode konfigurācija
    1µA @ 800V
  • Apraksts
    DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
  • Pašreizējais - Reverse leakage @ Vr
    1.15V @ 1.5A
  • Pašreizējais - vidējais rektificēts (Io) (par diodi)
    800V
  • Ietilpība @ Vr, F
    -55°C ~ 150°C

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “BYG10KHE3/TR3” saistītie produkti.
BYG10M-M3/TR3

BYG10M-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10K-M3/TR

BYG10K-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10KHE3_A/I

BYG10KHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHE3_A/I

BYG10JHE3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10K-M3/TR3

BYG10K-M3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHM3/TR

BYG10JHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10K-E3/TR3

BYG10K-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHM3_A/H

BYG10JHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10M-M3/TR

BYG10M-M3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10KHM3/TR

BYG10KHM3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10KHM3_A/I

BYG10KHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10M-E3/TR

BYG10M-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10JHM3_A/I

BYG10JHM3_A/I

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10KHE3_A/H

BYG10KHE3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10M-E3/TR3

BYG10M-E3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 1KV 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10KHE3/TR

BYG10KHE3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10JHM3/TR3

BYG10JHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 600V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10KHM3/TR3

BYG10KHM3/TR3

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
BYG10KHM3_A/H

BYG10KHM3_A/H

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A DO214

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
BYG10K-E3/TR

BYG10K-E3/TR

Apraksts: DIODE AVALANCHE 800V 1.5A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.