Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Ķēdes aizsardzība > TVS - diodes > 1N6386HE3/51
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
321033

1N6386HE3/51

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    1N6386HE3/51
  • Ražotājs / zīmols
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    DIODE GEN PURPOSE 1.5KE
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1N6386HE3/51.pdf
  • Spriegums - stiprinājums (maksimālais) @ Ipp
    21.2V
  • Spriegums - pārtraukums
    1
  • Spriegums - sadalījums (min)
    18V
  • Spriegums - sadalījums
    1.5KE
  • Tips
    Zener
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101, TransZorb®
  • RoHS statuss
    Bulk
  • Sūkņa strāva - zemā frekvence
    Automotive
  • Elektropārvades līnijas aizsardzība
    1500W (1.5kW)
  • Jauda - maksimālais impulss
    50A
  • Polarizācija
    DO-201AA, DO-27, Axial
  • Citi vārdi
    1N6386HE3/51GI
    1N6386HE3/51GI-ND
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja daļas numurs
    1N6386HE3/51
  • Apraksts
    DIODE GEN PURPOSE 1.5KE
  • Pašreizējais - maksimālais impulss (10 / 1000μs)
    25.5V
  • Jauda @ Frekvence
    -
  • Divvirzienu kanāli
    No

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “1N6386HE3/51” saistītie produkti.
1N6385HE3_A/D

1N6385HE3_A/D

Apraksts: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N6385-E3/51

1N6385-E3/51

Apraksts: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N6391

1N6391

Apraksts: SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6392

1N6392

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 45V 54A DO5

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6385HE3/51

1N6385HE3/51

Apraksts: DIODE GEN PURPOSE 1.5KE

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
1N6385HE3_A/C

1N6385HE3_A/C

Apraksts: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N6384HE3_A/C

1N6384HE3_A/C

Apraksts: TVS DIODE 12V 17.1V 1.5KE

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N6392

1N6392

Apraksts: DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO203AB

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division
Noliktavā
RFQ
1N6386HE3_A/C

1N6386HE3_A/C

Apraksts: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N6384HE3_A/D

1N6384HE3_A/D

Apraksts: TVS DIODE 12V 17.1V 1.5KE

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N645-1E3

1N645-1E3

Apraksts: SWITCHING DIODE

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6385-E3/73

1N6385-E3/73

Apraksts: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N645UR-1

1N645UR-1

Apraksts: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6386HE3_A/D

1N6386HE3_A/D

Apraksts: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N646-1

1N646-1

Apraksts: DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N645-1

1N645-1

Apraksts: DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
1N6386-E3/54

1N6386-E3/54

Apraksts: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N6385-E3/54

1N6385-E3/54

Apraksts: TVS DIODE 15V 21.4V 1.5KE

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N6386-E3/73

1N6386-E3/73

Apraksts: TVS DIODE 18V 25.5V 1.5KE

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay
Noliktavā
RFQ
1N646

1N646

Apraksts: SILICON SWITCHING DIODES

Ražotāji: Microsemi
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.