Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > TPH3205WSBQA
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
356426TPH3205WSBQA attēlsTransphorm

TPH3205WSBQA

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$28.20
10+
$26.083
30+
$23.968
120+
$22.276
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    TPH3205WSBQA
  • Ražotājs / zīmols
    Transphorm
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 650V 35A TO247
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
  • Datu lapas
    1.TPH3205WSBQA.pdf
    2.TPH3205WSBQA.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.6V @ 700µA
  • Vgs (Max)
    ±18V
  • Tehnoloģija
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-247
  • Sērija
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    62 mOhm @ 22A, 8V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    125W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-247-3
  • Darbības temperatūra
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    6 Weeks
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    2200pF @ 400V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    42nC @ 8V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    -
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    650V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 650V 35A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

2024/11/23

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

2024/11/22

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “TPH3205WSBQA” saistītie produkti.
TPH3208LD

TPH3208LD

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 20A PQFN

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH3202LD

TPH3202LD

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 9A PQFN

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH3206PSB

TPH3206PSB

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 16A TO220AB

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH3206LDGB

TPH3206LDGB

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH3207WS

TPH3207WS

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 50A TO247

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH2010FNH,L1Q

TPH2010FNH,L1Q

Apraksts: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TPH3202PS

TPH3202PS

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q

Apraksts: MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TPH3202PD

TPH3202PD

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH3206LSB

TPH3206LSB

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH3206LD

TPH3206LD

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 17A PQFN

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH3206PS

TPH3206PS

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 17A TO220

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH3206LDB

TPH3206LDB

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH3206PD

TPH3206PD

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 17A TO220

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH2900ENH,L1Q

TPH2900ENH,L1Q

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 33A SOP8

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TPH3202LS

TPH3202LS

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 9A PQFN

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH2R506PL,L1Q

TPH2R506PL,L1Q

Apraksts: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TPH3206LS

TPH3206LS

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 17A PQFN

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH3205WSB

TPH3205WSB

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 36A TO247

Ražotāji: Transphorm
Noliktavā
RFQ
TPH2R608NH,L1Q

TPH2R608NH,L1Q

Apraksts: MOSFET N-CH 75V 150A SOP8

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.