Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > TPHR6503PL,L1Q
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5608510TPHR6503PL,L1Q attēlsToshiba Semiconductor and Storage

TPHR6503PL,L1Q

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
5000+
$0.852
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    TPHR6503PL,L1Q
  • Ražotājs / zīmols
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    TPHR6503PL,L1Q.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    2.1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    8-SOP Advance (5x5)
  • Sērija
    U-MOSIX-H
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.65 mOhm @ 50A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    960mW (Ta), 170W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    8-PowerVDFN
  • Citi vārdi
    TPHR6503PL,L1Q(M
    TPHR6503PLL1QTR
  • Darbības temperatūra
    175°C
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    10000pF @ 15V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    110nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    4.5V, 10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    30V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 30V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    150A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

2024/11/26
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “TPHR6503PL,L1Q” saistītie produkti.
TPH8R903NL,LQ

TPH8R903NL,LQ

Apraksts: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TPHCS800-EL

TPHCS800-EL

Apraksts: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
TPH8R80ANH,L1Q

TPH8R80ANH,L1Q

Apraksts: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TPHCS250-EL

TPHCS250-EL

Apraksts: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
TPHCS800-M

TPHCS800-M

Apraksts: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
TPHR9003NL,L1Q

TPHR9003NL,L1Q

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TPHR8504PL,L1Q

TPHR8504PL,L1Q

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TPHCS250-M

TPHCS250-M

Apraksts: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
TPHCS-B-E

TPHCS-B-E

Apraksts: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
TPHCS250-ML

TPHCS250-ML

Apraksts: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
TPHCS-B-ML

TPHCS-B-ML

Apraksts: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
TPHCS250-E

TPHCS250-E

Apraksts: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
TPHCS-B-EL

TPHCS-B-EL

Apraksts: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
TPHCS250-P

TPHCS250-P

Apraksts: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
TPHCS-B-M

TPHCS-B-M

Apraksts: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
TPH8R008NH,L1Q

TPH8R008NH,L1Q

Apraksts: MOSFET N CH 80V 34A SOP

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TPHCS800-ML

TPHCS800-ML

Apraksts: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
TPHCS800-P

TPHCS800-P

Apraksts: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
TPHR9203PL,L1Q

TPHR9203PL,L1Q

Apraksts: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TPHCS800-E

TPHCS800-E

Apraksts: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Ražotāji: Bussmann (Eaton)
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.