TPC8026(TE12L,Q,M)

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

TPC8026(TE12L,Q,M)
Ražotājs / zīmols

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

1.TPC8026(TE12L,Q,M).pdf
2.TPC8026(TE12L,Q,M).pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

8-SOP (5.5x6.0)
Sērija

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6 mOhm @ 6.5A, 10V
Jaudas izkliedes (maksimums)

1W (Ta)
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Darbības temperatūra

150°C (TJ)
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

1800pF @ 10V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

42nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

30V
Detalizēts apraksts

N-Channel 30V 13A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

13A (Ta)

Šis ir ar “TPC8026(TE12L,Q,M)” saistītie produkti.

TPC8.2AHM3_A/H

Apraksts: TVS DIODE SMPC TO-277A

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

TPC8.2AHM3/87A

Apraksts: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

TPC8038-H(TE12L,Q)

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 12A SOP8 2-6J1B

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

TPC8.2HM3/87A

Apraksts: TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

TPC8021-H(TE12LQ,M

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

TPC8012-H(TE12L,Q)

Apraksts: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

TPC8048-H(TE12L,Q)

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 16A 8-SOP

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

TPC8062-H,LQ(CM

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

TPC8032-H(TE12LQM)

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 15A SOP8 2-6J1B

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

TPC8018-H(TE12LQM)

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

TPC8031-H(TE12LQM)

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

TPC8.2AHM3_A/I

Apraksts: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Ražotāji: Electro-Films (EFI) / Vishay

Noliktavā

RFQ

TPC8033-H(TE12LQM)

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 17A SOP8 2-6J1B

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

TPC8035-H(TE12L,QM

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

TPC8022-H(TE12LQ,M

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

TPC8.2HM3/86A

Apraksts: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC

Ražotāji: Vishay Semiconductor Diodes Division

Noliktavā

RFQ

TPC8042(TE12L,Q,M)

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

TPC8036-H(TE12L,QM

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

TPC8051-H(TE12L,Q)

Apraksts: MOSFET N-CH 80V 13A 8-SOP

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

TPC8014(TE12L,Q,M)

Apraksts: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RFQ

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

Iepriekšēja reģistrācija

TPC8026(TE12L,Q,M)

Pieprasīt citātu

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

TPC8.2AHM3_A/H

TPC8.2AHM3/87A

TPC8038-H(TE12L,Q)

TPC8.2HM3/87A

TPC8021-H(TE12LQ,M

TPC8012-H(TE12L,Q)

TPC8048-H(TE12L,Q)

TPC8062-H,LQ(CM

TPC8032-H(TE12LQM)

TPC8018-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8.2AHM3_A/I

TPC8033-H(TE12LQM)

TPC8035-H(TE12L,QM

TPC8022-H(TE12LQ,M

TPC8.2HM3/86A

TPC8042(TE12L,Q,M)

TPC8036-H(TE12L,QM

TPC8051-H(TE12L,Q)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Izvēlēties valodu

Pašreizējā valoda