Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > TK7E80W,S1X
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
5385135

TK7E80W,S1X

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$3.32
50+
$2.674
100+
$2.406
500+
$1.872
1000+
$1.551
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    TK7E80W,S1X
  • Ražotājs / zīmols
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    TK7E80W,S1X.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 280µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-220
  • Sērija
    DTMOSIV
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    950 mOhm @ 3.3A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    110W (Tc)
  • Iepakojums
    Tube
  • Iepakojums / lieta
    TO-220-3
  • Citi vārdi
    TK7E80W,S1X(S
    TK7E80WS1X
  • Darbības temperatūra
    150°C
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    700pF @ 300V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    13nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    800V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 800V 6.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    6.5A (Ta)

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “TK7E80W,S1X” saistītie produkti.
TK7A60W5,S5VX

TK7A60W5,S5VX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK7A55D(STA4,Q,M)

TK7A55D(STA4,Q,M)

Apraksts: MOSFET N-CH 550V 7A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK7P60W,RVQ

TK7P60W,RVQ

Apraksts: MOSFET N CH 600V 7A DPAK

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK7575

TK7575

Apraksts: SAFETY TAPE KIT-INDUST VERSION

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
TK7P50D(T6RSS-Q)

TK7P50D(T6RSS-Q)

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 7A DPAK-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK7Q60W,S1VQ

TK7Q60W,S1VQ

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A IPAK-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK7J90E,S1E

TK7J90E,S1E

Apraksts: MOSFET N-CH 900V TO-3PN

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK7P60W5,RVQ

TK7P60W5,RVQ

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK750A60F,S4X

TK750A60F,S4X

Apraksts: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK72E08N1,S1X

TK72E08N1,S1X

Apraksts: MOSFET N CH 80V 72A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK7P65W,RQ

TK7P65W,RQ

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK72E12N1,S1X

TK72E12N1,S1X

Apraksts: MOSFET N CH 120V 72A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK7A90E,S4X

TK7A90E,S4X

Apraksts: MOSFET N-CH 900V TO220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK7S10N1Z,LQ

TK7S10N1Z,LQ

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK7A65D(STA4,Q,M)

TK7A65D(STA4,Q,M)

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK7A45DA(STA4,Q,M)

TK7A45DA(STA4,Q,M)

Apraksts: MOSFET N-CH 450V 6.5A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK7A65W,S5X

TK7A65W,S5X

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK7A50D(STA4,Q,M)

TK7A50D(STA4,Q,M)

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 7A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK7A60W,S4VX

TK7A60W,S4VX

Apraksts: MOSFET N CH 600V 7A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK72A12N1,S4X

TK72A12N1,S4X

Apraksts: MOSFET N-CH 120V 72A TO-220

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.