Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > TK3R1E04PL,S1X

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

2845002

TK3R1E04PL,S1X attēls

Toshiba Semiconductor and Storage

TK3R1E04PL,S1X

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$2.00

50+

$1.616

100+

$1.454

500+

$1.131

1000+

$0.937

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

TK3R1E04PL,S1X
Ražotājs / zīmols

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

TK3R1E04PL,S1X.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 500µA
Vgs (Max)

±20V
Tehnoloģija

MOSFET (Metal Oxide)
Piegādātāja ierīču komplekts

TO-220
Sērija

U-MOSIX-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8 mOhm @ 30A, 4.5V
Jaudas izkliedes (maksimums)

87W (Tc)
Iepakojums

Tube
Iepakojums / lieta

TO-220-3
Citi vārdi

TK3R1E04PL,S1X(S
TK3R1E04PLS1X
Darbības temperatūra

175°C (TJ)
Montāžas tips

Through Hole
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds

4670pF @ 20V
Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs

63.4nC @ 10V
FET tips

N-Channel
FET iezīme

-
Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)

4.5V, 10V
Drain to avota spriegumam (Vdss)

40V
Detalizēts apraksts

N-Channel 40V 100A (Tc) 87W (Tc) Through Hole TO-220
Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “TK3R1E04PL,S1X” saistītie produkti.

TK3A65DA(STA4,QM)

TK3A65DA(STA4,QM)

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 2.5A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK39N60X,S1F

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK35S04K3L(T6L1,NQ

TK35S04K3L(T6L1,NQ

Apraksts: MOSFET N-CH 40V 35A DPAK-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK3R1A04PL,S4X

Apraksts: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK35N65W5,S1F

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK39N60W,S1VF

Apraksts: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK3A65D(STA4,Q,M)

TK3A65D(STA4,Q,M)

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 3A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK39J60W5,S1VQ

Apraksts: MOSFET N CH 600V 38.8A TO-3P(N)

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK380P65Y,RQ

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK380A60Y,S4X

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK3R1P04PL,RQ

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK35E10K3(S1SS-Q)

TK35E10K3(S1SS-Q)

Apraksts: MOSFET N-CH 100V 35A TO-220AB

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK39N60W5,S1VF

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 38.8A T0247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK3A60DA(STA4,Q,M)

TK3A60DA(STA4,Q,M)

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK380P60Y,RQ

Apraksts: MOSFET N-CHANNEL 600V 9.7A DPAK

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK3A60DA(Q,M)

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK35N65W,S1F

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 35A TO-247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK3P50D,RQ(S

Apraksts: MOSFET N-CH 500V 3A DPAK-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK39A60W,S4VX

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 39A TO220-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

TK39J60W,S1VQ

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.