Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - lauka tranzistori, MOSFETs - vieni > TK2P60D(TE16L1,NQ)
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
3582642

TK2P60D(TE16L1,NQ)

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
2000+
$0.462
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    TK2P60D(TE16L1,NQ)
  • Ražotājs / zīmols
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.TK2P60D(TE16L1,NQ).pdf
    2.TK2P60D(TE16L1,NQ).pdf
  • ECAD modelis
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4.4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tehnoloģija
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    PW-MOLD
  • Sērija
    π-MOSVII
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.3 Ohm @ 1A, 10V
  • Jaudas izkliedes (maksimums)
    60W (Tc)
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Citi vārdi
    TK2P60D(TE16L1NQ)
    TK2P60DTE16L1NQ
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Ievades kapacitāte (Ciss) (maksimālais) @ Vds
    280pF @ 25V
  • Vārtu maksa (Qg) (maks.) @ Vgs
    7nC @ 10V
  • FET tips
    N-Channel
  • FET iezīme
    -
  • Piedziņas spriegums (maksimālais skaļuma līmenis, min. Rādījumi)
    10V
  • Drain to avota spriegumam (Vdss)
    600V
  • Detalizēts apraksts
    N-Channel 600V 2A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount PW-MOLD
  • Strāvas - nepārtraukta noplūde (Id) @ 25 ° C
    2A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “TK2P60D(TE16L1,NQ)” saistītie produkti.
TK2626

TK2626

Apraksts: HOME TAPE KIT - STANDARD

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
TK25E60X5,S1X

TK25E60X5,S1X

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK2405800000G

TK2405800000G

Apraksts: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Ražotāji: Anytek (Amphenol Anytek)
Noliktavā
RFQ
TK25E60X,S1X

TK25E60X,S1X

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK2Q60D(Q)

TK2Q60D(Q)

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK25A60X5,S5X

TK25A60X5,S5X

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK28N65W,S1F

TK28N65W,S1F

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK25V60X,LQ

TK25V60X,LQ

Apraksts: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK290A60Y,S4X

TK290A60Y,S4X

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 11.5A TO220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK290P65Y,RQ

TK290P65Y,RQ

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 11.5A DPAK

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK2305800000G

TK2305800000G

Apraksts: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Ražotāji: Anytek (Amphenol Anytek)
Noliktavā
RFQ
TK25A60X,S5X

TK25A60X,S5X

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A TO-3PN

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK25E06K3,S1X(S

TK25E06K3,S1X(S

Apraksts: MOSFET N-CH 60V 25A TO-220AB

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK25N60X,S1F

TK25N60X,S1F

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A TO-247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK28A65W,S5X

TK28A65W,S5X

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK25N60X5,S1F

TK25N60X5,S1F

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 25A TO247

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK290P60Y,RQ

TK290P60Y,RQ

Apraksts: MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK2A65D(STA4,Q,M)

TK2A65D(STA4,Q,M)

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 2A TO-220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
TK2323

TK2323

Apraksts: MRO TAPE KIT - PREMIUM

Ražotāji: 3M
Noliktavā
RFQ
TK290A65Y,S4X

TK290A65Y,S4X

Apraksts: MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.