Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, kas iepriek > RN2906(T5L,F,T)
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
6952598RN2906(T5L,F,T) attēlsToshiba Semiconductor and Storage

RN2906(T5L,F,T)

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RN2906(T5L,F,T)
  • Ražotājs / zīmols
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RN2906(T5L,F,T).pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    50V
  • Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tranzistora tips
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    US6
  • Sērija
    -
  • Rezistors - emitenta bāze (R2)
    47 kOhms
  • Rezistors - bāze (R1)
    4.7 kOhms
  • Jauda - maks
    200mW
  • Iepakojums
    Tape & Reel (TR)
  • Iepakojums / lieta
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Citi vārdi
    RN2906(T5LFT)TR
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - pāreja
    200MHz
  • Detalizēts apraksts
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 200mW Surface Mount US6
  • DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    100nA (ICBO)
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    100mA

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RN2906(T5L,F,T)” saistītie produkti.
RN2909FE(TE85L,F)

RN2909FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2904(T5L,F,T)

RN2904(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2904,LF

RN2904,LF

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2903A-I/RM098

RN2903A-I/RM098

Apraksts: RF MODULE

Ražotāji: Micrel / Microchip Technology
Noliktavā
RFQ
RN2910FE,LF(CB

RN2910FE,LF(CB

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2907(T5L,F,T)

RN2907(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2904,LF(CT

RN2904,LF(CT

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2909(T5L,F,T)

RN2909(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2908(T5L,F,T)

RN2908(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2905FE,LF(CB

RN2905FE,LF(CB

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2910(T5L,F,T)

RN2910(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2905T5LFT

RN2905T5LFT

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2903A-I/RM103

RN2903A-I/RM103

Apraksts: TXRX RF MOD LORA 47PIN RM

Ražotāji: Micrel / Microchip Technology
Noliktavā
RFQ
RN2907FE,LF(CB

RN2907FE,LF(CB

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2906,LF

RN2906,LF

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2904FE(T5L,F,T)

RN2904FE(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2904FE,LF

RN2904FE,LF

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2906FE(TE85L,F)

RN2906FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2903FE(TE85L,F)

RN2903FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2908FE(TE85L,F)

RN2908FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.