Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienoti, iepriekš p > RN2108MFV,L3F
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
481534

RN2108MFV,L3F

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
8000+
$0.032
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    RN2108MFV,L3F
  • Ražotājs / zīmols
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    RN2108MFV,L3F.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    50V
  • Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Tranzistora tips
    PNP - Pre-Biased
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    VESM
  • Sērija
    -
  • Rezistors - emitenta bāze (R2)
    47 kOhms
  • Rezistors - bāze (R1)
    22 kOhms
  • Jauda - maks
    150mW
  • Iepakojums / lieta
    SOT-723
  • Citi vārdi
    RN2108MFVL3F
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Ražotāja standarta svina laiks
    16 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Detalizēts apraksts
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
  • DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    500nA
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    100mA

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

2025/02/11

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

2025/02/10

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “RN2108MFV,L3F” saistītie produkti.
RN2107ACT(TPL3)

RN2107ACT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2106(T5L,F,T)

RN2106(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2111,LF(CB

RN2111,LF(CB

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2109ACT(TPL3)

RN2109ACT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2110MFV,L3F

RN2110MFV,L3F

Apraksts: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2109MFV,L3F

RN2109MFV,L3F

Apraksts: X34 PB-F VESM TRANSISTOR PD 150M

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2108(T5L,F,T)

RN2108(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2110ACT(TPL3)

RN2110ACT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2108ACT(TPL3)

RN2108ACT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2108CT(TPL3)

RN2108CT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2109CT(TPL3)

RN2109CT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2110CT(TPL3)

RN2110CT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2111CT(TPL3)

RN2111CT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2107MFV,L3F

RN2107MFV,L3F

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2111ACT(TPL3)

RN2111ACT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2106ACT(TPL3)

RN2106ACT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.1W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2106CT(TPL3)

RN2106CT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2107,LF(CB

RN2107,LF(CB

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2107CT(TPL3)

RN2107CT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 0.05W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
RN2110,LF(CB

RN2110,LF(CB

Apraksts: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1W SSM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.