Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, kas iepriek > RN1905FE,LF(CB

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5564345

RN1905FE,LF(CB attēls

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905FE,LF(CB

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

1+

$0.30

10+

$0.27

25+

$0.195

100+

$0.151

250+

$0.095

500+

$0.081

1000+

$0.055

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

RN1905FE,LF(CB
Ražotājs / zīmols

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

RN1905FE,LF(CB.pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

50V
Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tranzistora tips

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Piegādātāja ierīču komplekts

ES6
Sērija

-
Rezistors - emitenta bāze (R2)

47 kOhms
Rezistors - bāze (R1)

2.2 kOhms
Jauda - maks

100mW
Iepakojums

Cut Tape (CT)
Iepakojums / lieta

SOT-563, SOT-666
Citi vārdi

RN1905FE(TE85LF)CT
RN1905FE(TE85LF)CT-ND
RN1905FELF(CBCT
RN1905FELF(CTCT
RN1905FELF(CTCT-ND
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

16 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - pāreja

250MHz
Detalizēts apraksts

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Maks.)

500nA
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

100mA

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “RN1905FE,LF(CB” saistītie produkti.

RN1907,LF(CT

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1904FE,LF(CT

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1905,LF(CT

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1908FE(TE85L,F)

RN1908FE(TE85L,F)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1906FE(T5L,F,T)

RN1906FE(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1906,LF(CT

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1905(T5L,F,T)

RN1905(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1907FE,LF(CB

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1902,LF(CT

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1906FE,LF(CT

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1905,LF

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1903,LF(CT

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1906,LF

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1901FETE85LF

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1906(T5L,F,T)

RN1906(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1907,LF

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1908(T5L,F,T)

RN1908(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1904,LF(CT

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1902T5LFT

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1902FE,LF(CT

Apraksts: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.