Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienoti, iepriekš p > RN1106,LF(CT

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

805826

RN1106,LF(CT attēls

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106,LF(CT

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.041

6000+

$0.036

15000+

$0.03

30000+

$0.029

75000+

$0.027

150000+

$0.024

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

RN1106,LF(CT
Ražotājs / zīmols

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

RN1106,LF(CT.pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

50V
Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tranzistora tips

NPN - Pre-Biased
Piegādātāja ierīču komplekts

SSM
Sērija

-
Rezistors - emitenta bāze (R2)

47 kOhms
Rezistors - bāze (R1)

4.7 kOhms
Jauda - maks

100mW
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

SC-75, SOT-416
Citi vārdi

RN1106,LF(CB
RN1106LF(CT
RN1106LF(CT-ND
RN1106LF(CTTR
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

16 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - pāreja

250MHz
Detalizēts apraksts

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Maks.)

500nA
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

100mA

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

AMD palaiž Bangalore dizaina centra otrā posma būvniecību

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “RN1106,LF(CT” saistītie produkti.

RN1104CT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1107ACT(TPL3)

RN1107ACT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1106CT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1108(T5L,F,T)

RN1108(T5L,F,T)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1105MFV,L3F

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1104ACT(TPL3)

RN1104ACT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1105CT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1105,LF(CT

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1106MFV(TL3,T)

RN1106MFV(TL3,T)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1106MFV,L3F

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1103MFV,L3F

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1108CT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1107,LF(CT

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1107CT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1104T5LFT

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1104,LF(CT

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1105ACT(TPL3)

RN1105ACT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1104MFV,L3F

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1108ACT(TPL3)

RN1108ACT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.