Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

*Kompānijas nosaukums
*Nosaukt
*Tituls

*Epasta adrese
*Tālruņa numurs

*Valsts
*Kontakta logs
*Notikuma datums

*Ziņa

Apmeklētājiem elektronikā 2024

Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.

Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienoti, iepriekš p > RN1102,LF(CT

RFQs/pasūtījums (0)

Latviešu

Latviešu

5927106

RN1102,LF(CT attēls

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102,LF(CT

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā

3000+

$0.036

6000+

$0.032

15000+

$0.027

30000+

$0.025

75000+

$0.024

150000+

$0.021

Izmeklēšana tiešsaistē

Specifikācijas

Daļas numurs

RN1102,LF(CT
Ražotājs / zīmols

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Krājumu daudzums

Noliktavā
Apraksts

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Svins bez / atbilst RoHS prasībām
Datu lapas

RN1102,LF(CT.pdf
Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)

50V
Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tranzistora tips

NPN - Pre-Biased
Piegādātāja ierīču komplekts

SSM
Sērija

-
Rezistors - emitenta bāze (R2)

10 kOhms
Rezistors - bāze (R1)

10 kOhms
Jauda - maks

100mW
Iepakojums

Tape & Reel (TR)
Iepakojums / lieta

SC-75, SOT-416
Citi vārdi

RN1102,LF(CB
RN1102LF(CT
RN1102LF(CT-ND
RN1102LF(CTTR
Montāžas tips

Surface Mount
Mitruma jutīguma līmenis (MSL)

1 (Unlimited)
Ražotāja standarta svina laiks

16 Weeks
Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss

Lead free / RoHS Compliant
Frekvence - pāreja

250MHz
Detalizēts apraksts

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Maks.)

500nA
Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)

100mA

Saistītās ziņas
Piegāde
Maksājums

NVIDIA RTX 5090 grafikas kartes GPU laukums ir 744 mm ², k...

Anthropic saņem vēl 4 miljardu dolāru ieguldījumus no A...

Daļēji: IC pārdošanas apjoma pieaugums par 12% 1. c...

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

Pārvadāšana

Maksājums

Šis ir ar “RN1102,LF(CT” saistītie produkti.

RN1102T5LFT

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1104,LF(CT

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1103,LF(CT

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN104PJ750CS

Apraksts: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Noliktavā

RN104PJ472CS

Apraksts: RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0804

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Noliktavā

RN104PJ620CS

Apraksts: RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Noliktavā

RN1103MFV,L3F

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1101,LF(CT

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1102MFV,L3F

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN104PJ3R0CS

Apraksts: RES ARRAY 4 RES 3 OHM 0804

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Noliktavā

RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN104PJ820CS

Apraksts: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Noliktavā

RN1101MFV,L3F

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1102CT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN104PJ7R5CS

Apraksts: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

Ražotāji: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Noliktavā

RN1101CT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1103CT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

Apraksts: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage

Noliktavā

Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.

Seko mums

Noteikumi Pārkāpuma politika Pieprasiet cenu Par mums Sazinies ar mums Vietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.