Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi > HN1B04FE-GR,LF
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2933834HN1B04FE-GR,LF attēlsToshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FE-GR,LF

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.33
10+
$0.297
25+
$0.214
100+
$0.167
250+
$0.105
500+
$0.089
1000+
$0.061
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    HN1B04FE-GR,LF
  • Ražotājs / zīmols
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    50V
  • Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 10mA, 100mA
  • Tranzistora tips
    NPN, PNP
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    ES6
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    100mW
  • Iepakojums
    Original-Reel®
  • Iepakojums / lieta
    SOT-563, SOT-666
  • Citi vārdi
    HN1B04FE-GR(5LFTDKR
    HN1B04FE-GR(5LFTDKR-ND
    HN1B04FE-GRLF(TDKR
    HN1B04FE-GRLF(TDKR-ND
    HN1B04FE-GRLFDKR
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    16 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - pāreja
    80MHz
  • Detalizēts apraksts
    Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 80MHz 100mW Surface Mount ES6
  • DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 2mA, 6V
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    100nA (ICBO)
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    150mA
HN1B01FDW1T1

HN1B01FDW1T1

Apraksts: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
HN1C01FYTE85LF

HN1C01FYTE85LF

Apraksts: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF

Apraksts: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1B04F(TE85L,F)

HN1B04F(TE85L,F)

Apraksts: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1A01FE-Y,LF

HN1A01FE-Y,LF

Apraksts: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

Apraksts: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1B01FU-GR,LF

HN1B01FU-GR,LF

Apraksts: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Apraksts: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1B01FDW1T1G

HN1B01FDW1T1G

Apraksts: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Ražotāji: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Noliktavā
HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Apraksts: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

Apraksts: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1A01FU-Y,LF

HN1A01FU-Y,LF

Apraksts: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1A01FE-GR,LF

HN1A01FE-GR,LF

Apraksts: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Apraksts: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1B01F-GR(TE85L,F

HN1B01F-GR(TE85L,F

Apraksts: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1B01FU-Y(L,F,T)

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Apraksts: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1A01FU-GR,LF

HN1A01FU-GR,LF

Apraksts: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

Apraksts: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

Apraksts: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

Apraksts: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu