Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Ķēdes aizsardzība > TVS - diodes > DF2B6M4SL,L3F
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
4123392DF2B6M4SL,L3F attēlsToshiba Semiconductor and Storage

DF2B6M4SL,L3F

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com

atsauces cena (ASV dolāros)

Noliktavā
1+
$0.41
10+
$0.292
25+
$0.227
100+
$0.172
250+
$0.122
500+
$0.097
1000+
$0.075
2500+
$0.065
5000+
$0.058
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    DF2B6M4SL,L3F
  • Ražotājs / zīmols
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    TVS DIODE 5.5V 25V SL2
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    1.DF2B6M4SL,L3F.pdf
    2.DF2B6M4SL,L3F.pdf
    3.DF2B6M4SL,L3F.pdf
  • ECAD modelis
  • Spriegums - reversais izliekums (tips)
    5.5V (Max)
  • Spriegums - stiprinājums (maksimālais) @ Ipp
    25V
  • Spriegums - sadalījums (min)
    5.6V
  • Tips
    Zener
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    SL2
  • Sērija
    -
  • Elektropārvades līnijas aizsardzība
    No
  • Jauda - maksimālais impulss
    30W
  • Iepakojums
    Cut Tape (CT)
  • Iepakojums / lieta
    0201 (0603 Metric)
  • Citi vārdi
    DF2B6M4SLL3FCT
  • Darbības temperatūra
    -
  • Montāžas tips
    Surface Mount
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Ražotāja standarta svina laiks
    12 Weeks
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pašreizējais - maksimālais impulss (10 / 1000μs)
    2A (8/20µs)
  • Jauda @ Frekvence
    0.2pF @ 1MHz
  • Divvirzienu kanāli
    1
  • Pieteikumi
    General Purpose

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Mikrčips paziņo par 500 atlaišanu, un pārstrukturēšan...

2024/12/4

Quanta: AI pieprasījums joprojām ir spēcīgs, ar vienmē...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung ievērojami samazina fotorezistu izmantošanu 3D NA...

2024/12/2

Vishay ieguldīs 51 miljonu sterliņu mārciņu iegādātaj...

2024/11/29

Trumpa tarifu draudi, Nvidia, Intel piegādātāji pārvēr...

2024/11/28

Intel saņems subsīdijas 7,86 miljardus ASV dolāru saska...

2024/11/27
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “DF2B6M4SL,L3F” saistītie produkti.
DF2B7AE,L3F

DF2B7AE,L3F

Apraksts: TVS DIODE 5.5V 20V ESC

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B7ACT,L3F

DF2B7ACT,L3F

Apraksts: TVS DIODE 5.5V 20V CST2

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B7SL,L3F

DF2B7SL,L3F

Apraksts: TVS DIODE 5.3V 16V SL2

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B36FU,H3F

DF2B36FU,H3F

Apraksts: TVS DIODE 28V 40V USC

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B6.8E,L3F

DF2B6.8E,L3F

Apraksts: TVS DIODE 5VWM ESC

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B6.8ACT,L3F

DF2B6.8ACT,L3F

Apraksts: TVS DIODE 5V 7V CST2

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B7AFS,L3M

DF2B7AFS,L3M

Apraksts: TVS DIODE 5.5V 20V SOD923

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B7M2SL,L3F

DF2B7M2SL,L3F

Apraksts: TVS DIODE 5V 20V SL2

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B7M3SC,L3F

DF2B7M3SC,L3F

Apraksts: TVS DIODE 5V 13V SC2

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B6.8FS(TPL3,T)

DF2B6.8FS(TPL3,T)

Apraksts: TVS DIODE 5V 8.5V FSC

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B6.8M2SC(TPL3)

DF2B6.8M2SC(TPL3)

Apraksts: TVS DIODE 5V 13V SC2

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B5M4SL,L3F

DF2B5M4SL,L3F

Apraksts: TVS DIODE 3.6V 24V SL2

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B6.8M1ACT,L3F

DF2B6.8M1ACT,L3F

Apraksts: TVS DIODE 5V 20V CST2

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B7ASL,L3F

DF2B7ASL,L3F

Apraksts: TVS DIODE 5.5V 20V SL2

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B7AE,H3F

DF2B7AE,H3F

Apraksts: TVS DIODE 5.5V 20V ESC

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B6USL,L3F

DF2B6USL,L3F

Apraksts: TVS DIODE 5.5V 20V SL2

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B7M3SL,L3F

DF2B7M3SL,L3F

Apraksts: TVS DIODE 5.5V 20V SL2

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B6M4CT,L3F

DF2B6M4CT,L3F

Apraksts: TVS DIODE 5.5V 15V CST2

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B6.8AFS,L3M

DF2B6.8AFS,L3M

Apraksts: TVS DIODE 5V 7V FSC

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
DF2B6.8FS(TPL4,D)

DF2B6.8FS(TPL4,D)

Apraksts: TVS DIODE 5V 8.5V FSC

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsJaunumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.