Apmeklētājiem elektronikā 2024

Rezervējiet savu laiku tūlīt!

Viss, kas nepieciešams, ir daži klikšķi, lai rezervētu savu vietu un iegūtu kabīnes biļeti

C5 Hall 220 kabīne

Iepriekšēja reģistrācija

Apmeklētājiem elektronikā 2024
Jūs visi reģistrējaties! Paldies, ka norunājāt tikšanos!
Kad būsim pārbaudījis jūsu rezervāciju, mēs jums nosūtīsim kabīnes biļetes pa e -pastu.
Mājas > Produkti > Diskrētie pusvadītāju izstrādājumi > Transistori - bipolāri (BJT) - vieni > 2SC2235-Y(T6OMI,FM
RFQs/pasūtījums (0)
Latviešu
Latviešu
2520242SC2235-Y(T6OMI,FM attēlsToshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y(T6OMI,FM

Pieprasīt citātu

Lūdzu, aizpildiet visus nepieciešamos laukus ar savu kontaktinformāciju. Noklikšķiniet uz "Iesniegt RFQ", mēs drīz sazināsimies ar jums pa e -pastu.Vai nosūtiet mums e -pastu:info@ftcelectronics.com
Izmeklēšana tiešsaistē
Specifikācijas
  • Daļas numurs
    2SC2235-Y(T6OMI,FM
  • Ražotājs / zīmols
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Krājumu daudzums
    Noliktavā
  • Apraksts
    TRANS NPN 800MA 120V TO226-3
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Svins bez / atbilst RoHS prasībām
  • Datu lapas
    2SC2235-Y(T6OMI,FM.pdf
  • Spriegums - savācēja emisijas sadalījums (maksimālais)
    120V
  • Vce Piesātinājums (Max) @ Ib, Ic
    1V @ 50mA, 500mA
  • Tranzistora tips
    NPN
  • Piegādātāja ierīču komplekts
    TO-92MOD
  • Sērija
    -
  • Jauda - maks
    900mW
  • Iepakojums
    Bulk
  • Iepakojums / lieta
    TO-226-3, TO-92-3 Long Body
  • Citi vārdi
    2SC2235-Y(T6OMIFM
    2SC2235YT6OMIFM
  • Darbības temperatūra
    150°C (TJ)
  • Montāžas tips
    Through Hole
  • Mitruma jutīguma līmenis (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Svina bezmaksas statuss / RoHS statuss
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - pāreja
    120MHz
  • Detalizēts apraksts
    Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 800mA 120MHz 900mW Through Hole TO-92MOD
  • DC strāvas pieaugums (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    80 @ 100mA, 5V
  • Current - Collector Cutoff (Maks.)
    100nA (ICBO)
  • Pašreizējais - savācējs (Ic) (maksimālais)
    800mA

Tiek ziņots, ka Kioxia saņems saraksta apstiprinājumu 22...

2024/11/21

Torņa pusvadītāja jaunākā silīcija optiskā platforma...

2024/11/20

Nozare atveseļojas lēnām.Epitaksiālais piegādātājs I...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Piegādātājs: Decembrī tiks piegādāts liels skaits RTX...

2024/11/18

Taivāna, Ķīnas pusvadītāja izlaides vērtība šogad p...

2024/11/17

Paplašinot OLED paneļu ražošanu, LG displejs Vjetnamā ...

2024/11/15

Amazon palielina centienus izveidot pielāgotas AI mikrosh...

2024/11/14

Pegatrona Q3 neto peļņa bija USD 4,296 miljardi, ceturkš...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Dienvidkoreja plāno ieviest Chip Act, lai apkarotu Trumpa ...

2024/11/13
Pārvadāšana
Maksājums
Šis ir ar “2SC2235-Y(T6OMI,FM” saistītie produkti.
2SC2235-Y(T6ND,AF

2SC2235-Y(T6ND,AF

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2235-Y,T6ASHF(J

2SC2235-Y,T6ASHF(J

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2235-O,F(J

2SC2235-O,F(J

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2383-O,T6ALPF(M

2SC2383-O,T6ALPF(M

Apraksts: TRANS NPN 1A 160V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2235-Y(T6FJT,AF

2SC2235-Y(T6FJT,AF

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2383-O(T6OMI,FM

2SC2383-O(T6OMI,FM

Apraksts: TRANS NPN 1A 160V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2235-Y(T6KMATFM

2SC2235-Y(T6KMATFM

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2235-Y,F(J

2SC2235-Y,F(J

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2235-Y,T6USNF(M

2SC2235-Y,T6USNF(M

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2258

2SC2258

Apraksts: TRANS NPN 250V 0.1A TO-126

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
2SC22950BL

2SC22950BL

Apraksts: TRANS NPN 20VCEO 30MA MINI-3

Ražotāji: Panasonic
Noliktavā
RFQ
2SC2235-Y,T6KEHF(M

2SC2235-Y,T6KEHF(M

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2235-Y(T6FJT,FM

2SC2235-Y(T6FJT,FM

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2235-Y,USNHF(M

2SC2235-Y,USNHF(M

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2235-Y(MBSH1,FM

2SC2235-Y(MBSH1,FM

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2235-Y(T6CANOFM

2SC2235-Y(T6CANOFM

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2235-Y,T6F(J

2SC2235-Y,T6F(J

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2235-Y(6MBH1,AF

2SC2235-Y(6MBH1,AF

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2235-Y(DNSO,AF)

2SC2235-Y(DNSO,AF)

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
2SC2235-Y(T6CN,A,F

2SC2235-Y(T6CN,A,F

Apraksts: TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Ražotāji: Toshiba Semiconductor and Storage
Noliktavā
RFQ
Kā vienīgais publiskais atvērtā tirgus izplatītājs, mums ir unikāla globālās piekļuves, ražošanas nozares kompetences un pārbaudītas kvalitātes kombinācija.Ar to mēs varam izveidot pielāgotus, visaptverošus piegādes ķēdes risinājumus elektronikas komponentu iegūšanai un krājumu pārvaldībai.
Seko mums
NoteikumiPārkāpuma politikaPieprasiet cenuPar mumsSazinies ar mumsVietņu karte

Izvēlēties valodu

Noklikšķiniet uz vietas, lai izietu

Pašreizējā valoda

Izvēlieties savu valsti vai reģionu.